Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК

ОЗУ QUMO QUM5U-32G4800N40 DDR5 DIMM 32Gb 4800MHz, CL40, 1.1V

Основные Производитель QUMO Код производителя QUM5U-32G4800N40 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Тайминги CAS Latency...

ОЗУ Qumo QUM5U-32G5600N46 DDR5 32GB DIMM 5600MHz

Основные Производитель QUMO Код производителя QUM5U-32G5600N46 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 5600 МГц Пропускная способность 44800 Мб/с...

ОЗУ QUMO reVolution Primary (Q4Rev-8G2800P16PrimR) Red DDR-4 8GB heat spreader 2800 Mhz XMP 16-18-18-36 1.2V (1024*8) Single Rank retail

Общие параметры Модель Qumo ReVolution Primary Код производителя Q4Rev-8G2800P16PrimR Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Тактовая...

ОЗУ Samsung (M378A1K43DB2-CTD) DDR4 DIMM 8GB PC4-21300, 2666MHz

Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность PC21300 Профили Intel XMP нет...

ОЗУ Samsung (M378A1K43EB2-CWE) DDR4 8GB DIMM 3200MHz

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M378A1K43EB2-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1...

ОЗУ Samsung (M378A2K43EB1-CWEDY) DDR4 16GB DIMM 3200MHz

Общие параметры Тип серверная оперативная память Модель Samsung Код производителя M378A2K43EB1-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ...

ОЗУ Samsung (M378B5273CH0-CH9) DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz, ORIGINAL

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 МБ/с CAS-латентность CL9 Схема таймингов памяти 9-9-9 Рабочее напряжение 1.5 В Тип охлаждения без охлаждения...

ОЗУ Samsung (M391A1K43DB2-CVF) DDR4 8GB ECC UNB DIMM 2933Mhz, 1.2V

Основные Производитель Samsung Код производителя M391A1K43DB2-CVF Тип памяти DDR4 DIMM Объём памяти 8 Гб Объём одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2933 МГц Пропускная способность 23400 Мб/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung (M391A4G43AB1-CWEQY) DDR4 32GB DIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC 1.2V

Основные характеристики Производитель Samsung Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 32 Гб Общий объем памяти 32 Гб Тактовая частота 3200 МГц CL 22 Напряжение питания Напряжение питания, V 1.2 В

ОЗУ Samsung (M393A2K43DB3-CWEBY) DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Dual Rank 1.2V

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M393A2K43DB3-CWEBY Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288-pin Объем 16384 МБ Частотная спецификация 3200 Показатель скорости PC4-25600 Код коррекции ошибок (ECC) поддерживается Буферизация registered Латентность CL22...

ОЗУ Samsung (M393A4K40DB3-CWEBQ) DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Артикул производителя M393A4K40DB3-CWEBQ Бренд Samsung для сервера Форм-фактор RDIMM Тип памяти DDR4 Частота, мегагерц 3200 Общий объем, гигабайт 32 Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля, гигабайт 32 Игровая Нет Спецификация...

ОЗУ Samsung (M393A4K40EB3-CWECQ) DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Основное Тип DDR4 Общий объем памяти 32 Гб Форм-фактор RDIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 32 Гб Тактовая частота 3.2 ГГц Тайминги CL 22 Дополнительно Напряжение питания 1.2 V Пропускная способность, Мб 25600 МБ/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung (M393A8G40AB2-CVF) DDR4 64GB RDIMM (PC4-23400) 2933MHz ECC Reg 1.2V

Характеристики Samsung M393A8G40AB2-CVF Артикул производителя (Part Number) M393A8G40AB2-CVF Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор RDIMM Объем одного модуля 64 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 64...

ОЗУ Samsung (M393A8G40AB2-CWECQ) DDR4 64GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Основные характеристики Бренд Samsung Модель M393A8G40AB2-CWECQ Тип DDR4 Назначение Стационарные (настольные) ПК Форм-фактор RDIMM Объем одного модуля 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем всего...

ОЗУ Samsung (M471A1K43EB1-CWED0) DDR4 8GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Тип Оперативная память Производитель Samsung Игровая Нет Тип памяти DDR4 Наличие гарантии производителя есть Корпус Цвет Зеленый Оперативная память Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт Объем одного модуля 8 Гб Тактовая частота 2666 МГц CL 19 Суммарный...

ОЗУ Samsung 3rd, CL19, 1.2V (K4A8G045WC-BCTD/16) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 19...

ОЗУ Samsung Electronics M378A2G43CB3-CWE DDR4 DIMM 16GB UNB 3200, 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M378A2G43CB3-CWE] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт...

ОЗУ Samsung HMABAGL7CBR4N-XNT5 Electronics Hynix DDR4 3200MHz LRDIMM 128GB

Основные Производитель Hynix Код производителя HMABAGL7CBR4N-XNT5 Тип памяти DDR4 DIMM Объём памяти 128 Гб Объём одного модуля 128 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка ECC да...

ОЗУ Samsung K4A8G045WB-BCTD/16 16GB DDR4-2666 PC4-21300 3rd, CL19, 1.2V

Размер оперативной памяти 16,00 ГБ Размеры элемента 7,00 х 2,50 х 0,50 дюйма Скорость памяти 2666,00 МГц Объем памяти 16,00 ГБ Технология оперативной памяти SDRAM DDR4 Размер 16 гигабайт Тип ОЗУ DDR4 SDRAM

ОЗУ Samsung M321R8GA0BB0-CQK 96GB DDR5 4800MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC

Основные Производитель Samsung Код производителя M321R8GA0BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 64 Гб Объём одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да...

ОЗУ Samsung M321R8GA0BB0-CQK DDR5 64GB RDIMM 4800MHz (2R x 4) ECC Reg 1.1V

Серия продукции M321 Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR5 Объем одного модуля 64, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 64, ГБ Эффективная частота 4800, МГц Пропускная способность 38400, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Samsung M321R8GA0PB0-CWM DDR5 64GB 5600MHz OEM PC5-44800 CL40 DIMM ECC 288-pin 1.1В dual rank OEM

Характеристики: Модуль памяти Samsung 64 ГБ DIMM DDR5 5600 МГц, M321R8GA0PB0-CWM Производитель Samsung Тип памяти DDR5 Слот памяти DIMM Спецификация памяти REG Частота памяти 5600 МГц Пропускная способность модуля памяти(Мб/сек) 44800Мб/сек Количество...

ОЗУ Samsung M321RAGA0B20-CWK DDR5 128GB 4800MHz OEM PC5-38400 CL40 DIMM ECC 288-pin 1.1В dual rank OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M321RAGA0B20-CWK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 128 Гб Объём одного модуля 128 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да Буферизованная...

ОЗУ Samsung M323R1GB4DB0-CWM DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V

Оперативная память Samsung DDR5 8Gb 5600Mhz pc-44800 CL40 1.1V (M323R1GB4DB0-CWM) Характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR5 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:5600 МГц Пропускная...

ОЗУ Samsung M323R1GB4PB0-CWM DDR5 DIMM 8GB 1Rx16 UNB 5600

Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M323R1GB4PB0-CWM Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объем одного модуля 8 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC5-38400 Row Precharge Delay (tRP) 40 RAS to CAS Delay (tRCD) 40...

ОЗУ Samsung M323R1GB4PB0-CWM0D 8GB UDIMM DDR5-5600MHz

Основные Суммарный объем памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Емкость одного модуля 8 ГБ Тип памяти DDR5 Пропускная способность, Мб/с 38400 Тактовая частота, МГц 5600 Форм-фактор RAM UDIMM Конструкция Радиатор...

ОЗУ Samsung M323R2GA3DB0-CWM DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M323R2GA3DB0-CWM Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт...

ОЗУ Samsung M323R2GA3PB0-CWM DDR5 16GB DIMM 5600MHz

Основные характеристики Производитель Samsung Тип DDR5 Форм-фактор DIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 16 Гб Общий объем памяти 16 Гб Тактовая частота 5600 MHz Напряжение питания Напряжение питания...

ОЗУ Samsung M323R4GA3BB0-CQK DDR5 32Gb 4800MHz RTL PC5-38400 CL40 DIMM 288-pin 1.1В dual rank Ret

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M323R4GA3BB0-CQK Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1...

ОЗУ Samsung M323R4GA3BB0-CQKOD DDR5 DIMM 32GB UNB 4800 1Rx8, 1.1V

Конструкция Подсветка Нет Радиатор Нет Габариты и вес Цвет Зеленый Основное Поддержка ECC Нет Общий объём (ГБ) 32 Тип памяти DDR5 Тактовая частота (МГц) 4800 Пропускная способность (Мб/с) 38400 Тип модуля DIMM Тайминги CAS Latency (CL) 40 RAS...

ОЗУ Samsung M324R4GA3BB0-CQK DDR5 32GB ECC UDIMM 4800MHz (2Rx8) 1.1V, OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M324R4GA3BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung M378A1G44CB0-CWE DDR4 DIMM 8GB PC4-25600, 3200MHz

Samsung Electronics M378A1G44CB0-CWE - технические характеристики Форм-фактор UDIMM Объем одного модуля 8 Тип памяти DDR4 Общий объем 8 Количество модулей в комплекте 1 Частота 3200

ОЗУ Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB DDR4-2400 PC4-19200 Original, CL17, 1.2V

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с CAS-латентность CL17 Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип...

ОЗУ Samsung M378A1K43EB2-CVF00 DDR4 DIMM 8GB UNB 2933, 1.2V

Характеристики Производитель Samsung Модель M378A1K43EB2 Применение Для ПК Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти non ECC Частота модуля (МГц) 2933МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 23400Мб/сек Объём модуля памяти (ГБ) 8ГБ Напряжение питания модуля памяти 1.2V...

ОЗУ Samsung M378A1K43EB2-CWED0 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM

Оперативная память Samsung 8Gb DDR4-3200 (M378A1K43EB2-CWED0) Характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с...

ОЗУ Samsung M378A1K43EB2-CWED0 DDR4 DIMM 8GB UNB 3200, 1.2V

Производитель Samsung Модель M378A1K43EB2-CWED0 Применение Для ПК Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти non ECC Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Количество модулей в комплекте 1 Объём модуля памяти (ГБ) 8ГБ Напряжение...

ОЗУ Samsung M378A2G43CB3-CWED0 DDR4 DIMM 16GB, 1.2V UNB 3200

Samsung M378A2G43CB3-CWED0 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 16 Тип памяти DDR4 Частота 3200 Количество модулей в комплекте 1 Пропускная способность PC4-25600 CAS Latency (CL) 22 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Общий объем памяти 16

ОЗУ Samsung M378A4G43MB1-CTD OEM DDR4 32Gb 2666MHz PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank

Объем модуля: 32 ГБ Гарантия: 24 мес. Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR4 Количество контактов: 288-pin Режим работы: двухканальный Показатель скорости: PC4-21300 Буферизация: unbuffered Поддержка ECC: не поддерживается Скорость: 2666МГц...

ОЗУ Samsung M378A5143TB2-CTDD0 DDR4 4Gb 2666MHz OEM PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank

Общие характеристики Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC: нет Поддержка XMP: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Тайминги CAS Latency...

ОЗУ SAMSUNG M378A5244CB0-CRCD0 DIMM 4GB PC19200 DDR4

288-pin; частота: 2666; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM Объем модуля: 4 ГБ Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR4 Количество контактов: 288-pin Показатель скорости: PC4-21300 Буферизация: unbuffered Поддержка ECC: не поддерживается Скорость: 2666МГц Напряжение: 1.2В...

ОЗУ Samsung M378A5244CB0-CTD DDR4 4Gb 2666MHz OEM PC4-21300 DIMM 288-pin 1.2В quad rank

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile)...

ОЗУ SAMSUNG M378A5244CB0-CWED0 DIMM 4GB PC25600 DDR4

Производитель Samsung Модель M378A5244CB0 Применение Для ПК Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти non ECC Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Объём модуля памяти (ГБ) 4ГБ Напряжение питания модуля памяти 1.2V Количество...

ОЗУ Samsung M386AAG40BM3-CWE 128GB DDR4 3200MHz 4Rx4 LRDIMM Registred ECC, RTL

Основные характеристики Тип Модуль памяти Модель M386AAG40BM3-CWE Тип памяти Registred Форм-фактор RDIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля, ГБ 128 Количество модулей в комплекте, шт 1...

ОЗУ Samsung M386AAG40BM3-CWEZY DDR4 128GB LRDIMM 3200 1.2V 4Rx4

Samsung Electronics M386AAG40BM3-CWEZY - технические характеристики Форм-фактор памяти LRDIMM Объем одного модуля 128 Тип памяти DDR4 Частота 3200 Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.2 Модуль со сниженной нагрузкой (LDRDIMM) 1 Общий объем памяти 128 Память...

ОЗУ Samsung M391A2G43BB2-CWEQY DDR4 16GB DIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC 1.2V

Модуль памяти Samsung 16GB DIMM DDR4 ECC 3200MHz, M391A2G43BB2-CWEQY Производитель Samsung Модель M391A2G43BB2 Применение Для сервера Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти ECC Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Объём модуля...

ОЗУ Samsung M393A1K43DB1-CWEBY 8GB RDIMM DDR4 (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Основное Тип DDR4 Форм-фактор RDIMM (Registered) Количество модулей в комплекте 1 шт Объем одного модуля 8 Гб Общий объем памяти 8 Гб Тактовая частота 3.2 ГГц Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered (RDIMM)) есть Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Количество...

ОЗУ Samsung M393A1K43DB2-CWE DDR4 8Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с CAS-латентность CL22 Схема таймингов памяти 22-22-22 Рабочее напряжение 1.2 В...

ОЗУ Samsung M393A2K40EB3-CWEBY DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Характеристики Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная:да Латентность:- Объем одного модуля:16 Гб Кол-во...

ОЗУ Samsung M393A2K40EB3-CWECO 16GB DDR4 3200MHz 2Rx8 DIMM Registred ECC

Основные характеристики Тип Модуль памяти Серия M393 Модель M393A2K40EB3-CWECO Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля, ГБ 16 Количество модулей в комплекте, шт 1...

ОЗУ Samsung M393A2K43BB3-CWECQ DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Производитель Samsung Объём памяти 16 GB Серия модуля памяти PC4-25600 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288 pin Тип памяти DDR4 RDIMM Тактовая частота 3200 MHz Пропускная способность 25600 MB/s ECC Registered Есть Тайминги CAS Latency (CL) 22 Напряжение питания 1.2 В...

ОЗУ Samsung M393A2K43EB3-CWEBY DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Dual Rank 1.2V

Производитель Samsung Модель M393A2K43EB3 Применение Для сервера Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти REG Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Количество модулей в комплекте 1 Объём модуля памяти (ГБ) 16ГБ Напряжение...

ОЗУ Samsung M393A2K43EB3-CWECO 16GB DDR4 3200MHz 2Rx8 DIMM Registred ECC

Характеристики Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная:да Латентность:- Объем одного модуля:16 Гб Кол-во модулей в...

ОЗУ SAMSUNG M393A2K43EB3-CWEGY 16GB PC25600 Reg

Базовые характеристики Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 16, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 16, ГБ Эффективная частота 3200, МГц Пропускная способность 25600, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Samsung M393A4G43AB3-CWEBY DDR4 32GB RDIMM 3200MHz 1.2V

Основные Форм-фактор DIMM DDR4 Частота 3200MHz Оперативная память Объем оперативной памяти, Гб 32 гб Электропитание Номинальное напряжение, В 1,20 В Комплектация Количество модулей в комплекте, шт 1 Дополнительно Дополнительная информация Регистровая память (RDIMM). Масса...

ОЗУ Samsung M393A4G43BB4-CWEGQ DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Модуль памяти Samsung 32GB DIMM DDR4 REG 3200MHz, M393A4G43BB4-CWEGQ Производитель Samsung Применение Для сервера Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти REG Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Объём модуля памяти (ГБ) 32ГБ...

ОЗУ Samsung M393A4K40DB3-CWECO DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V

Характеристики Назначение для сервера Пропускная способность 25600 Количество модулей памяти в комплекте 1 Тип модуля памяти DDR4 Объём 32Gb Проверка и коррекция ошибок Присутствует Объем одного модуля памяти 32Gb Напряжение питания, В 1.2...

ОЗУ Samsung M393A4K40DB3-CWEGY 32GB DDR4 3200MHz 2Rx4 DIMM Registred ECC

Тип ОЗУ Бренд Samsung Артикул 404011 Партномер M393A4K40DB3-CWEGY Технические параметры Форм-фактор DIMM Стандарт DDR DDR4 Объем 32 ГБ Частота 3200 МГц Подсветка Нет Вес в упаковке, кг 0.03936 Габариты упаковки (длина), см 33 Габариты упаковки (ширина), см 21.5 Габариты упаковки...

ОЗУ Samsung M393A8G40AB2-CWEC0 64GB DDR4 3200MHz 2Rx4 RDIMM Registred ECC

Серия продукции M393 Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 64, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 64, ГБ Эффективная частота 3200, МГц Пропускная способность 25600, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Samsung M393A8G40BB4-CWEBY DDR4 64GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (Only for new Cascade Lake)

Общие характеристики Производитель Samsung Тип DDR4, DIMM, 288-контактная Объем 64 Гб Спецификации Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Функции поддержка ECC, буферизованная (Registered) Напряжение питания 1.2 В...

ОЗУ Samsung M393A8G40CB4-CWE

Основные характеристики Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля, ГБ 64 Количество модулей в комплекте, шт 1 Эффективная частота, МГц 3200 Пропускная способность, Мб/с 25600 Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле,...

ОЗУ Samsung M393A8G40MB2-CVFBQ DDR4 64GB RDIMM (PC4-23400) 2933MHz ECC Reg 1.2V (Only for new Cascade Lake)

Основные свойства Производитель Samsung Объём памяти 64 GB Серия модуля памяти PC4-23400 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288 pin Тип памяти DDR4 RDIMM Тактовая частота 2933 MHz Пропускная способность 23400 MB/s ECC Registered Есть Тайминги CAS Latency (CL) 21 RAS to...

ОЗУ Samsung M393AAG40M32-CAE DDR4 128GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Объем памяти комплекта 128 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти четырехранговая Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с CAS-латентность CL22 Схема таймингов памяти...

ОЗУ Samsung M393AAG40M32-CAECO DDR4 128GB 3200MHz 4Rx4 DIMM 3DS 2H Registered ECC

Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x128Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная (RDIMM):да Объем одного модуля:128 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт Общий объем...

ОЗУ Samsung M425R1GB4BB0-CQK DDR5 8GB SODIMM 4800MHz

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M425R1GB4BB0-CQK] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M425R1GB4BB0-CWM0L SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40, OEM

Тип товара: Оперативная память Производитель: Samsung Модель: M425R1GB4BB0-CWM0L Цвет: Зеленый Объем памяти: 8 ГБ Частота памяти: 5600 МГц Стандарт памяти : DDR5 Дополнительно: PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40 Размеры: 6.96 x 0.3 x 3 см Вес: 10 г Размеры упаковки: 7 x 3 x...

ОЗУ Samsung M425R2GA3BB0-CQK DDR5 16GB 4800MHz OEM PC5-38400 CL40 SO-DIMM 288-pin 1.1В dual rank OEM

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung OEM Код производителя [M425R2GA3BB0-CQK] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CQK DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz OEM

Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M425R4GA3BB0-CQK Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR5 Объем одного модуля 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Тактовая частота 4800 МГц Количество контактов 262-pin Показатель скорости PC5-38400 Row Precharge Delay (tRP)...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CQK0L SO-DIMM DDR5 32ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M425R4GA3BB0-CQK0L Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CWM DDR5 32GB SODIMM 5600MHz 2Rx8, 1.1V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M425R4GA3BB0-CWM] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 SO-DIMM 8Gb 3200MHz PC4-25600 CL19 OEM

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A1G44AB0-CWE] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие Частота 3200...

ОЗУ Samsung M471A1G44CB0-CWED0 8GB 3200MHz SODIMM DDR4 М378А2* OEM

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 240-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Подсветка:нет...

ОЗУ SAMSUNG M471A1K43DB1-CWEDY 8GB SO-DIMM DDR4 PC25600

Тип памяти DDR4 CAS Latency (CL) 22 Пропускная способность PC4-25600 Частота (МГц) 3200 Количество модулей в комплекте (шт.) 1 Объем одного модуля (Гбайт) 8 Общий объем (Гбайт) 8 Форм-фактор SO-DIMM Вес 0.0065 кг Объем в упаковке 4.2 л Количество в упаковке (кратность) 1...

ОЗУ Samsung M471A2G43CB2-CWE DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V

Основные свойства Производитель Samsung Объём памяти 16 GB Серия модуля памяти PC4-25600 Форм-фактор SO-DIMM Количество контактов 260 pin Тип памяти DDR4 UDIMM Тактовая частота 3200 MHz Пропускная способность 25600 MB/s Тайминги CAS Latency (CL) 22 Напряжение питания 1.2...

ОЗУ SAMSUNG M471A2K43EB1-CWE SODIMM 16GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A2K43EB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 16 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ SAMSUNG M471A4G43AB1-CWE SODIMM 32GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A4G43AB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 32 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWED0 32GB (1x32GB), DDR4-3200, SODIMM, 2Rx8

Общая информация Производитель Samsung PN M471A4G43AB1-CWED0 Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм фактор SODIMM Количество контактов 260 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Объем 1 модуль 32Gb Общий объём 32 Гб Поддержка ECC нет Поддержка XMP...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWEDY DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M471A4G43AB1-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Частота 3200 МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43BB1-CWE DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A4G43BB1-CWE] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRC DDR4 4GB UNB SODIMM 2400, 1.2V

Стандарт DDR4 Форм-фактор SODIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество контактов 260...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRCD0l DDR4 4GB (PC4-19200) 2400MHz 1.2V SO-DIMM

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2400 МГц Пропускная способность:19200 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 4GB UNB SODIMM 3200, 1.2V

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL22...

ОЗУ Samsung Original M378A1K43CB2-CTD 8GB DDR4-2666 PC4-21300 CL19, 1.2V

Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 8 ГБ Эффективная частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M378A2K43CB1-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL16 Тайминги:16-16-16 Подсветка:нет Объем одного...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M471A5244CB0-CTD) SO-DIMM 4GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17 Тайминги:17-17-17 Подсветка:нет Объем одного модуля:4...

ОЗУ Samsung, CL19, 1.2V (M378A2G43MX3-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 16384 Мб Показатель скорости PC4-21300 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2666МГц Напряжение 1.2В Задержка 19-19-19 Латентность CL19...

ОЗУ Silicon Power (SP004GBSFU266X02) 4GB 2666МГц DDR4 CL19 SODIMM

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с CAS-латентность CL19 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный

ОЗУ Silicon Power (SP008GBLFU240B02), DDR 4 DIMM 8Gb PC19200, 2400Mhz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный...

ОЗУ Silicon Power (SP008GBSTU160N02) DDR3 SODIMM 8GB PC3-12800, 1600MHz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с CAS-латентность CL11 Рабочее напряжение 1.5 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный

ОЗУ Silicon Power (SP008GLSTU160N02) DDR3 SODIMM 8GB PC3-12800, 1600MHz 1.35V

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с CAS-латентность CL11 Схема таймингов памяти 11-11-11 Рабочее напряжение 1.35 В Тип охлаждения без охлаждения...