Комплектующие к ПК

Сортировать по:
От А до Я
Основные Производитель Samsung Код производителя MZ-V9S1T0BW Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Размер M.2 2280 Интерфейс PCI-E 4.0 x4, PCI-E 5.0 x2 Поддержка NVMe да, 2.0 HMB (Host Memory Buffer) да Объём накопителя 1024 Гб Тип флэш-памяти...
Общие параметры Тип SSD M.2 накопитель Модель Samsung 990 EVO Plus Код производителя [MZ-V9S2T0BW] Основные характеристики Объем накопителя 2000 ГБ Форм-фактор 2280 Физический интерфейс PCIe 4.0 x4...
Основные Производитель Samsung Код производителя MZ-V9S4T0BW Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Размер M.2 2280 Интерфейс PCI-E 4.0 x4, PCI-E 5.0 x2 Поддержка NVMe да, 2.0 HMB (Host Memory Buffer) да Объём накопителя 4096 Гб...
Основные характеристики Брэнд SAMSUNG Модель MZ-V9P2T0B/AM Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 2048 ГБ Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCI-E 4.0 x4 Разъем M.2 Тип памяти NAND 3D TLC Поддержка NVMe есть Скорость Максимальная скорость чтения 7450 МБ/с Максимальная...
Основные Производитель Samsung Код производителя MZ-V9P2T0GW Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Размер M.2 2280 Интерфейс PCI-E 4.0 x4 Поддержка NVMe да Объём накопителя 2000 Гб Тип флэш-памяти TLC Скорость чтения 7450...
Интерфейсы Тип интерфейса PCI Express Версия PCI-E PCIe 4.0 x4 w/NVMe Базовые характеристики Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования Desktop Серия продукции 990 Pro Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да Форм-фактор 2.5" Номинальный...
Основные характеристики Бренд SAMSUNG Модель MZ-V9P4T0BW Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 4096 ГБ Объем накопителя ТБ 4 ТБ Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCIe 4.0 x4 Разъем M.2 Тип памяти NAND 3D TLC Поддержка NVMe есть DRAM буфер ДА Объем DRAM буфера 4096 МБ...
Тип Внутренний SSD-диск Форм-фактор M.2 Интерфейс SSD PCI-E 4.0 Объем 1 ТБ Время наработки на отказ, ч 1500000 Цвет Серебристый Тип накопителя SSD Форм-фактор M.2 2280 Скорость чтения, Мб/с 7450 Скорость записи, Мб/с 6900
Бренд - SAMSUNG Серии - 990 ПРО Модель - МZ-В9П1Т0Б/АМ Тип устройства - Внутренний твердотельный накопитель (SSD) Фактор формы - М.2 2280 Вместимость - 1 ТБ Компоненты памяти - V7 V-NAND 3-битный MLC Интерфейс- PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0 Максимальное последовательное чтение - до 7450...
Модель 990 PRO с обычным радиатором Емкость 1000 ГБ Интерфейс PCIe Gen4 x4 NVME М.2-2280 SSD-контроллер Samsung Pascal NAND Flash Type V7 V-NAND 3bit MLC Max Sequential Read Up to 7450 MB/s Max Sequential Write Up to 6900 MB/s/p
Основные Производитель Samsung Код производителя MZ-V9P1T0GW Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Размер M.2 2280 Интерфейс PCI-E 4.0 x4 Поддержка NVMe да Объём накопителя 1000 Гб Тип флэш-памяти TLC Скорость чтения 7450...
Емкость цифрового хранилища - 2 ТБ Интерфейс жесткого диска- Твердое состояние Технология подключения - USB, САТА Бренд - SAMSUNG Форм-фактор жесткого диска - 2,2 х 8 см Совместимые устройства - Ноутбук Тип установки - Внутренний жесткий диск Конкретное использование продукта- Игры
Модель 990 PRO с обычным радиатором Емкость 2000 ГБ Интерфейс PCIe Gen4 x4 NVME М.2-2280 SSD-контроллер Samsung Pascal NAND Flash Type V7 V-NAND 3bit MLC Max Sequential Read Up to 7450 MB/s Max Sequential Write Up to 6900 MB/s/p
Основные Производитель Samsung Код производителя MZ-V9P4T0CW Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Размер M.2 2280 Интерфейс PCI-E 4.0 x4 Поддержка NVMe да Объём накопителя 4000 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung...
Основные Производитель Samsung Код производителя MZILG15THBLA-00A07 Форм-фактор 2.5" Интерфейс SAS 4.0 (24 Гбит/с) Объём накопителя 15360 Гб Тип флэш-памяти TLC Скорость чтения 2100 МБ/сек Скорость записи 2000 МБ/сек Скорость произвольного чтения 4 КБ блоков...
Тип интерфейса SAS Версия SAS 24 Gb/s Базовые характеристики Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования Datacenter Серия продукции PM1653 Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да Форм-фактор 2.5" Номинальный объем 1920, ГБ Тип памяти...
Характеристики Samsung MZILG30THBLA-00A07 Основные характеристики Тип SSD Назначение Для промышленного компьютера Форм-фактор 2.5" Поддержка NVMe Есть Характеристики накопителя...
Тип интерфейса SAS Версия SAS 24 Gb/s Базовые характеристики Вид устройства Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования Server Серия продукции PM1653 Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format) Да Форм-фактор 2.5" Номинальный объем 7680, ГБ Внешняя скорость...
Основные Производитель Samsungлоготип Samsung Код производителя MZ1L23T8HBLA-00A07 Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI-E 4.0 x4 Поддержка NVMe да Объём накопителя 3840 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung Elpis (S4LV003)...
Основные Производитель Samsung Код производителя MZ1L2960HCJR-00A07 Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI-E x4 Объём накопителя 960 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung Elpis (S4LV003) Скорость чтения 5000 Мб/сек...
Производитель Samsung Модель T7 Shield Цвет Синий Тип диска SSD Объём диска 1TB Форм-фактор 2.5" Интерфейс подключения USB 3.2 Gen2 Type-C Питание Питание по USB Габариты (мм) 88 x 59 x 13 Высота упаковки (мм) 40мм Длина упаковки (мм) 70мм Ширина упаковки (мм) 100мм Вес...
Тип внутренний Объем 4096 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем SATA 3 Контроллер Samsung MJX Буферная память 4096 МБ Тип памяти 3D MLC NAND Внешняя скорость записи 530 МБ/с Внешняя скорость считывания 560 МБ/с Ударостойкость при работе...
Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 1 Тб Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA III Максимальная скорость чтения 550 Мб/с Максимальная скорость записи 520 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч Тип памяти NAND V-NAND Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 96000...
Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 2 Тб Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA III Максимальная скорость чтения 550 Мб/с Максимальная скорость записи 520 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч Тип памяти NAND V-NAND Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 97000...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 4000 ГБ Форм-фактор 2.5" Разъем SATA 3 Контроллер Samsung MKX Буферная память 4000 МБ Тип памяти 3D TLC NAND Внешняя скорость записи 530 МБ/с Внешняя скорость считывания 560 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G Наработка...
Производитель: Samsung Линейка: 870 QVO Тип: SSD накопитель Объем, ГБ: 8000 Интерфейс: SATA rev. 3.0 Тип флеш-памяти: Samsung V-NAND 4bit MLC Контроллер: Samsung MKX Controller Поддержка TRIM: есть Серия: 870 QVO Физические параметры Форм-фактор: 2,5 Размеры, мм: 100 х...
Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 1 Тб Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс SATA III Максимальная скорость чтения 550 Мб/с Максимальная скорость записи 520 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч Тип памяти NAND 3D MLC Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 97000...
Тип жесткого диска SSD Объем накопителя 250 Гб Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс SATA III Максимальная скорость чтения 550 Мб/с Максимальная скорость записи 520 Мб/с Время наработки на отказ 1500000 ч Тип памяти NAND 3D MLC Скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS) 97000...
Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Линейка 860 EVO Series Интерфейс SATA-III Объём накопителя 500 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung MJX Controller Скорость чтения 550 Мб/сек Скорость записи 520 Мб/сек Дополнительно Время...
Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Линейка 970 EVO Plus Series Интерфейс PCI-E x4 Объём накопителя 1000 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung Phoenix Объём буферной памяти 1024 Мб Скорость чтения 3500 Мб/сек Скорость записи 3300...
Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Линейка 970 EVO Plus Series Интерфейс PCI-E x4 Объём накопителя 250 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung Phoenix Объём буферной памяти 512 Мб Скорость чтения 3500 Мб/сек Скорость записи 2300...
Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Интерфейс PCI-E x4 Объём накопителя 2000 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung Phoenix Объём буферной памяти 2048 Мб Скорость чтения 3500 Мб/сек Скорость записи 3300 Мб/сек Дополнительно...
Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор M.2 Линейка 970 EVO Plus Series Интерфейс PCI-E x4 Объём накопителя 500 Гб Тип флэш-памяти TLC Контроллер Samsung Phoenix Объём буферной памяти 512 Мб Скорость чтения 3500 Мб/сек Скорость записи 3300...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 4.0 4x Контроллер Samsung Elpis Буферная память 1000 МБ / DDR4 / Тип памяти 3D TLC NAND NVMe +/ 1.3c / Внешняя скорость записи 5000 МБ/с Внешняя скорость считывания 7000 МБ/с...
Основные характеристики Бренд SAMSUNG Модель MZ-V8P2T0BW Объем накопителя 2048 ГБ Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCIe 4.0 x4 Разъем M.2 Контроллер NAND Samsung Elpis Тип памяти NAND 3D TLC Поддержка NVMe есть Поддержка TRIM есть DRAM буфер ДА Объем DRAM буфера 2048 МБ...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1000 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Samsung Pablo Тип памяти 3D TLC NAND NVMe + / 1.4 / Внешняя скорость записи 3000 МБ/с Внешняя скорость считывания 3500 МБ/с...
Тип внутренний Назначение для ПК Объем 500 ГБ Форм-фактор M.2 Интерфейс M.2 PCI-E 3.0 4x Контроллер Samsung Pablo Тип памяти 3D TLC NAND NVMe + / 1.4 / Внешняя скорость записи 2600 МБ/с Внешняя скорость считывания 3100 МБ/с...
внутренний SSD, M.2, 1920 Гб, PCI-E x4, чтение: 3000 Мб/сек, запись: 1400 Мб/сек, TLC Производитель: Samsung Код производителя: MZ1LB1T9HALS-00007 Назначение : внутренний Тип : SSD Форм-фактор : M.2 Интерфейс : PCI-E x4 Объём накопителя : 1920 Гб Тип флэш-памяти :...
Основные характеристики Производитель Samsung Серия SM883 Модель MZ7KH1T9HAJR Тип оборудования Твердотельный накопитель Емкость накопителя 1.92 Тб Конфигурация Тип чипов 3D NAND MLC Параметры производительности Скорость чтения до 450 МБ/сек Скорость записи до 520 МБ/сек Формат...
Основные Производитель Samsung Код производителя MZQL21T9HCJR-00A07 Назначение внутренний Тип SSD Форм-фактор 2.5" Интерфейс U.2 Объём накопителя 1920 Гб Тип флэш-памяти TLC Скорость чтения 6800 Мб/сек Скорость записи 4000 Мб/сек Скорость произвольного чтения 4 КБ файлов 1000000...
Показать еще 40 товаров