Серверное оборудование, СХД

Сортировать по:
От А до Я
Основные Производитель Intel Код производителя CM8070804494617 Линейка Xeon E Socket LGA 1200 Ядро Rocket Lake Количество ядер 8 Количество потоков 16 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3200 МГц Частота...
Основные Производитель Intel Код производителя CM8071505025407 Линейка Xeon E Socket LGA 1700 Ядро Raptor Lake-E Количество ядер 4 Количество потоков 4 Максимальное количество процессоров на материнской плате 1 Кэш Объём кэша L1 32 Кб, x4 Объём кэша L2 2...
Основные Производитель Intel Код производителя CM8071505025205 Линейка Xeon E Socket LGA 1700 Ядро Raptor Lake-E Количество ядер 4 Количество потоков 8 Техпроцесс 10 нм Максимальное количество процессоров на материнской плате 1 Наборы...
Основные Производитель Intel Код производителя CM8071505024905 Линейка Xeon E Socket LGA 1700 Ядро Raptor Lake-E Количество ядер 6 Количество потоков 12 Техпроцесс 10 нм Максимальное количество процессоров на материнской плате 1 Наборы команд Поддержка...
Основные Производитель Intel Код производителя CM8071505024605 Линейка Xeon E Socket LGA 1700 Ядро Raptor Lake-E Количество ядер 8 Количество потоков 16 Техпроцесс 10 нм Максимальное количество процессоров на материнской плате 1 Наборы команд Поддержка...
Общие характеристики Socket LGA1151 Ядро Ядро Kaby Lake-S Количество ядер 4 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3300 МГц Максимальная частота с Turbo Boost 3700 МГц Количество потоков 4 Коэффициент...
Общие характеристики Socket LGA1151 Ядро Ядро Kaby Lake-S Количество ядер 4 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3500 МГц Максимальная частота с Turbo Boost 3900 МГц Количество потоков 8 Коэффициент...
Socket 1151, 4-ядерный, 3500 МГц, Kaby Lake-S, Кэш L2 - 1 Мб, Кэш L3 - 8 Мб, 14 нм, 72 Вт Производитель: Intel Код производителя: BX80677E31230V6 Линейка: Xeon Socket: 1151 Ядро: Kaby Lake-S Количество ядер: 4 Техпроцесс: 14 нм Тактовая частота: 3500 МГц,...
Общие характеристики Socket LGA1151 Ядро Ядро Kaby Lake-S Количество ядер 4 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3700 МГц Максимальная частота с Turbo Boost 4100 МГц Количество потоков 8 Коэффициент...
Общие характеристики Socket LGA1151 Ядро Ядро Kaby Lake-S Количество ядер 4 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3800 МГц Максимальная частота с Turbo Boost 4200 МГц Количество потоков 8 Коэффициент...
Общие характеристики Socket LGA1151 Ядро Ядро Kaby Lake-S Количество ядер 4 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3900 МГц Максимальная частота с Turbo Boost 4200 МГц Количество потоков 8 Коэффициент...
Socket 1151, 4-ядерный, 4100 МГц, Kaby Lake-S, Кэш L2 - 1 Мб, Кэш L3 - 8 Мб, 14 нм, 79 Вт Производитель: Intel Код производителя: CM8067702870937 Линейка: Xeon Socket: 1151 Ядро: Kaby Lake-S Количество ядер: 4 Техпроцесс: 14 нм Тактовая частота: 4100 МГц, Turbo - 4500 МГц...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 4 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3700 МГц Максимальная частота с Turbo Boost 4000 МГц Количество потоков 8 Коэффициент...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 8 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3200 МГц Максимальная частота с Turbo Boost 3800 МГц Количество потоков 16 Коэффициент...
Socket 2011-3, 8-ядерный, 3400 МГц, Broadwell-EP, Кэш L2 - 2 Мб, Кэш L3 - 20 Мб, 14 нм, 140 Вт Производитель: Intel Код производителя: CM8066002044401 Линейка: Xeon Socket: 2011-3 Ядро: Broadwell-EP Количество ядер: 8 Техпроцесс: 14 нм Тактовая частота: 3400 МГц, Turbo:...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 8 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 1700 МГц Коэффициент умножения 17 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 59.7 ГБ/с...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 8 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 1700 МГц Коэффициент умножения 17 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 59.7 ГБ/с...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 4 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3500 МГц Коэффициент умножения 35 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 76.8 ГБ/с...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 6 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3400 МГц Коэффициент умножения 34 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 76.8 ГБ/с...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 6 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3400 МГц Коэффициент умножения 34 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 76.8 ГБ/с...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 14 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 2000 МГц Коэффициент умножения 20 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 76.8 ГБ/с...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 14 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 2000 МГц Коэффициент умножения 20 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 76.8 ГБ/с...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 8 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3200 МГц Коэффициент умножения 32 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 76.8 ГБ/с...
Общие характеристики Socket LGA2011-3 Ядро Ядро Broadwell-EP Количество ядер 8 Техпроцесс 14 нм Частотные характеристики Тактовая частота 3200 МГц Коэффициент умножения 32 Встроенный контроллер памяти есть, полоса 76.8 ГБ/с...
Показать еще 24 товара