Компьютеры, электроника :: Серверное оборудование, СХД

Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память есть ECC-память есть Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность PC21300 Профили Intel XMP нет...

ОЗУ QNAP RAM-16GDR4A0-UD-2400 for TS-873U, TS-873U-RP, TS-1273U, TS-1273U-RP, TS-1673U, TS-1673U-RP

Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор UDIMM Объем одного модуля 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 16 ГБ Эффективная частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная...

ОЗУ QNAP RAM-16GDR4ECT0-SO-2666 16GB ECC DDR4 RAM, 2666 MHZ, SO-DIMM for TS-h973AX, TS-873A, TS-473A

Оперативная память SO-DIMM QNAP 16GB DDR4-2666 (RAM-16GDR4ECT0-SO-2666) Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x16Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300...

ОЗУ QNAP RAM-16GDR4ECT0-UD-2666 RAM 16 GB DDR4, 2666 MHz, UDIMM ECC

Основные характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти UDIMM Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем комплекта 16 ГБ Эффективная частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/c Поддержка ECC Есть Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет...

ОЗУ QNAP RAM-2GDR3LA0-SO-1866 2GB DDR3L RAM, 1866 MHz, SO-DIMM

QNAP RAM-2GDR3LA0-SO-1866 Объем памяти комплекта 2 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1866 МГц Пропускная способность 14900 МБ/с CAS-латентность CL11 Рабочее напряжение 1.35 В Тип охлаждения без охлаждения...

ОЗУ QNAP RAM-8GDR4ECT0-UD-2666 8GB ECC DDR4 RAM, 2666 MHZ, UDIMM

Назначение:RAID-накопитель Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:UDIMM Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная:нет Латентность:CL17 Подсветка:нет Объем одного модуля:8 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт...

ОЗУ ReShield RT-DIM32GB 32GB DIMM for ReShield Terra NX

Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x32Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Пропускная способность:н.д. Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная (RDIMM):нет Объем одного модуля:32 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт Общий объем памяти:32 Гб

ОЗУ SAMSUNG (M321RAJA0MB0-CWM)128GB DDR5-5600 RDIMM

Основные Производитель Samsung Код производителя M321RAJA0MB0-CWM Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 128 Гб Объём одного модуля 128 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 5600 МГц Пропускная способность 44800 Мб/с Поддержка ECC да Буферизованная...

ОЗУ Samsung (M393A2K43EB3-CWE) 16Gb, DDR4 RDIMM, 3200MHz, CL22, 1.2V, Dual Rank, ECC Reg,

Характеристики Samsung M393A2K43EB3-CWE Назначение модуля памяти для сервера Тип памяти DDR4 Объем одного модуля, Гб 16 Форм-фактор RDIMM Количество модулей в комплекте 1 модуль Тактовая частота оперативной памяти, МГц 3200 Количество контактов 288-Pin Пропускная...

ОЗУ Samsung (M393A8G40AB2-CWE) DRAM 64GB DDR4 RDIMM 3200MHz

Объем памяти комплекта 64 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с CAS-латентность CL22 Схема таймингов памяти 22-22-22 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения...

ОЗУ Samsung Electronics M321R2GA3BB6-CQKET DDR5 16GB RDIMM 4800 1Rx8 1.1V

Samsung Electronics M321R2GA3BB6-CQKET - технические характеристики Форм-фактор памяти RDIMM Объем одного модуля 16 Тип памяти DDR5 Общий объем памяти 16 Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.1 Память с коррекцией ошибок 1 Регистровая память...

ОЗУ Samsung Electronics M321R4GA3BB6-CQKDS DDR5 32GB RDIMM 4800 2Rx8 1.1V

Основные характеристики Тип памяти DDR5 Частота 4800 МГц Объём памяти 1 × 32 ГБ Форм-фактор оперативной памяти DIMM 288-pin Стандарт памяти PC5-38400 (4800 МГц) Поддерживаемый метод контроля ошибок ECC Поддерживаемая буферизация памяти Registered...

ОЗУ Samsung Electronics M321R4GA3BB6-CQKVS DDR5 32GB RDIMM 4800 2Rx8 1.1V

Samsung Electronics M321R4GA3BB6-CQKVS - технические характеристики Форм-фактор памяти RDIMM Объем одного модуля 32 Тип памяти DDR5 Общий объем памяти 32 Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.1 Память с коррекцией ошибок 1 Регистровая память...

ОЗУ Samsung Electronics M321RAGA0B20-CWKZJ DDR5 128GB 4800MHz RDIMM

Основные характеристики Тип памяти DDR5 Частота 4800 МГц Объём памяти 1 × 128 ГБ Форм-фактор оперативной памяти DIMM 288-pin Стандарт памяти PC4-38400 (4800 МГц) Поддерживаемый метод контроля ошибок ECC Поддерживаемая буферизация...

ОЗУ Samsung Electronics M321RAJA0MB0-CWMCJ DDR5 128GB 5600MHz RDIMM

Samsung Electronics M321RAJA0MB0-CWMCJ - технические характеристики Форм-фактор памяти RDIMM Объем одного модуля 128 Тип памяти DDR5 Общий объем памяти 128 Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.1 Память с коррекцией ошибок 1 Регистровая память...

ОЗУ Samsung Electronics M321RAJA0MB0-CWMHY DDR5 128GB 5600MHz RDIMM

Samsung Electronics M321RAJA0MB0-CWMHY - технические характеристики Форм-фактор памяти RDIMM Объем одного модуля 128 Тип памяти DDR5 Общий объем памяти 128 Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.1 Память с коррекцией ошибок 1 Регистровая память (RDIMM) 1...

ОЗУ Samsung Electronics M393A2K40EB3-CWEC0 DDR4 16GB RDIMM 3200 1.2V SR

Бренд Samsung Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 16 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC25600 CL 22 TRCD 22 TRP 22 Напряжение питания 1.2 В Количество рангов 1 Количество контактов...

ОЗУ Samsung Electronics M393A8G40BB4-CWEGY DDR4 64GB RDIMM 3200 1.2V

Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти RDIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 64 ГБ Объем одного модуля памяти 64 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Регистровая память есть Ранговость двухранговая Быстродействие Тактовая частота 3200 МГц Профили Intel XMP...

ОЗУ Samsung Electronics M393A8G40BB4-CWES DDR4 64GB RDIMM 3200 1.2V OEM

Samsung Electronics M393A8G40BB4-CWES - технические характеристики Форм-фактор памяти DIMM Объем одного модуля 64 Тип памяти DDR4 Общий объем памяти 64 Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.2 Память с коррекцией ошибок 1 Регистровая память (RDIMM) 1 Тип...

ОЗУ Samsung Electronics M393A8G40CB4-CWEBY DDR4 64GB RDIMM 3200 1.2V

Samsung DDR4 64GB RDIMM 3200 1.2V Технические параметры Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.2 Общий объем памяти 64 Объем одного модуля 64 Память с коррекцией ошибок Нет Регистровая память (RDIMM) Нет Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти...

ОЗУ Samsung Electronics M393A8G40CB4-CWEC0 64GB DDR4 RDIMM C-D

Тип памяти DDR4 Частота (МГц) 3200 Регистровая память (RDIMM) 1 Номинальное напряжение (В) 1.2 Количество модулей в комплекте (шт.) 1 Объем одного модуля (Гбайт) 64 Общий объем (Гбайт) 64 Форм-фактор RDIMM Единица измерения шт Вес...

ОЗУ Samsung Electronics M393A8G40CB4-CWECQ DDR4 64GB RDIMM 3200 1.2V

Форм-фактор памяти RDIMM Общий объем памяти (Гбайт) 64 Тип памяти DDR4 Частота (МГц) 3200 Регистровая память (RDIMM) 1 Память с коррекцией ошибок 1 Номинальное напряжение (В) 1.2 Количество модулей в комплекте (шт.) 1...

ОЗУ Samsung Electronics M393A8G40CB4-CWEGY DDR4 64GB RDIMM 3200 1.2V

Samsung Electronics M393A8G40CB4-CWEGY - технические характеристики Форм-фактор памяти RDIMM Объем одного модуля 64 Тип памяти DDR4 Общий объем памяти 64 Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.2 Память с коррекцией ошибок 1 Регистровая память (RDIMM) 1 Частота...

ОЗУ Samsung M321R2GA3BB6-CQK 16GB DDR4 DDR5 RDIMM 4800 1Rx8 1.1V

Характеристики: Модуль памяти Samsung 16GB DIMM DDR5 4800MHz, M321R2GA3BB6-CQK Производитель Samsung Применение Для сервера Тип памяти DIMM DDR5 Спецификация памяти On-Die ECC Частота модуля (МГц) 4800МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 38400Мб/сек Количество модулей в...

ОЗУ Samsung M321R4GA0BB0-CQK DDR5 32GB RDIMM 4800MHz (2Rx4) ECC Reg 1.1V

Основные Производитель Samsung Код производителя M321R4GA0BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да Буферизованная...

ОЗУ Samsung M321R4GA0BB0-CQKET DDR5 32GB RDIMM 4800 1Rx4 1.1V

Технические параметры Форм-фактор RDIMM Частота, МГц 4800 Тип поставки oem Количество модулей в комплекте, шт. 1 Модуль со сниженной нагрузкой (LDRDIMM) Нет Небуферизированная память (UDIMM) Нет Номинальное напряжение, В 1.1 Общий объем, Гбайт 32 Объем одного...

ОЗУ Samsung M321R4GA3BB6-CQKET DDR5 32ГБ RDIMM, ECC, registered, PC5-38400

Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M321R4GA3BB6-CQKET Тип DDR5 Форм-фактор RDIMM Количество контактов 288-pin Объем 32768 МБ Показатель скорости PC5-38400 Код коррекции ошибок (ECC) поддерживается Буферизация registered Конфигурация...

ОЗУ Samsung M324R2GA3BB0-CQK 16МБ DDR5 DIMM, ECC, unbuffered, PC5-38400, CL40, 4800МГц

Основные Производитель Samsung Код производителя M324R2GA3BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 16 Гб Объём одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да...

ОЗУ Samsung M386A8K40DM2-CWE DDR4 64GB LRDIMM 3200 1.2V

Характеристики Samsung M386A8K40DM2-CWE Артикул производителя (Part Number) M386A8K40DM2-CWE Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор LRDIMM Объем одного модуля 64 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 64...

ОЗУ Samsung M386A8K40DM2-CWEZY DDR4 64GB LRDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Load Reduced 1.2V, OEM

Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x64Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:LRDIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная (RDIMM):да Латентность:CL22 Объем одного модуля:64 Гб Кол-во модулей в...