Оперативная память

Сортировать по:
От А до Я
Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая...
Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность 17000 МБ/сек Схема таймингов памяти 15-15-15-36 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный
Производитель Qumo Модель QUM4U-4G2133C15 Тип оборудования Модуль памяти DDR4 Объем модуля памяти 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Частота функционирования до 2133 МГц Напряжение питания 1.2 В (DDR4) Конфигурация Чип 512M x 8-bit Размеры упаковки (измерено в...
Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/сек Схема таймингов памяти 19-19-19 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный
Общие параметры Модель Qumo ReVolution Primary Код производителя [Q4Rev-4G2400C16PrimR] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM...
Объем и состав комплекта Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Объем одного модуля памяти 2 ГБ Количество модулей в...
Общие параметры Модель Hynix Код производителя [HMT425U6CFR6A-PBN0] Год релиза 2018 Объем и состав комплекта Тип памяти...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 22 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge...
Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR-3 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность 17000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 12 Row Precharge Delay...
Основные Производитель Netac Код производителя NTSWD4P32SP-08K Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 8 Гб Объём одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS...
Модель QUMO Код производителя [QUM4U-8G2400P16] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память...
Модель QUMO Код производителя [QUM4U-4G2400C16] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Объем одного модуля памяти 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...
Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600...
Вендор: CORSAIR PartNumber / Артикул Производителя: CMK16GX4M2A2666C16R Тип памяти: DDR4 Количество в упаковке: 2 Объем: 8192 МБ Частотная спецификация: 2666 Форм-фактор: DIMM Буферизация: unbuffered Количество контактов: 288-pin Показатель скорости:...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 19 RAS to CAS Delay (tRCD) 19 Row Precharge Delay (tRP) 19...
Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 16 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC4-23400 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2933MHz Напряжение 1.2В Задержка 21-21-21 Латентность...
Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 2 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 3200 МГц...
бъем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 3200 МГц...
Основные Производитель Corsair Код производителя CMW16GX4M1Z3600C18 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 18...
Производитель: Hynix Тип модулей: DIMM Тип памяти: DDR4 Количество модулей в комплекте: 1 Размер оперативной памяти : 16 Гб Тактовая частота: 2666 МГц Наличие радиатора : нет
Общие характеристики Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288-pin Объем 16384 Мб Частотная спецификация 2666 Показатель скорости PC4-21300 Код коррекции ошибок (ECC) поддерживается Буферизация registered Латентность CL19 Напряжение 1.2 В Конфигурация Количество рангов...
Тип: модуль памяти Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 МБ/с Объем: 1 модуль 16 Гб Поддержка ECC: нет
Производитель ADATA Серия XPG Gammix D10 Модель AX4U3000316G16A-SB10 Тип оборудования Модуль памяти DDR4 Объем модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Цвета, использованные в оформлении Черный Частота функционирования до 3000 МГц Стандарт памяти PC4-24000 (DDR4 3000 МГц)...
Напряжение питания 1,35 В Объем 16 Кол-во 1 Поддержка профилей памяти XMP 2.0 Радиатор охлаждения есть, алюминиевый Скорость, рабочая частота 3000 MHz Тип модуля U-DIMM Цвет радиатора черный, красный Гарантия 5 лет Тип памяти DDR4
Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти двухранговая Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 МБ/сек Схема таймингов памяти 16-18-18-36 Рабочее напряжение 1.35 В Тип охлаждения радиатор...
Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 МБ/с CAS-латентность CL16 Схема таймингов памяти 16-19-19 Рабочее напряжение 1.35 В...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 17 RAS to CAS Delay (tRCD) 17 Row Precharge Delay (tRP) 17 Activate...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 16 Row Precharge Delay (tRP) 16...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3000 МГц Пропускная способность 24000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 RAS to CAS Delay (tRCD) 20 Row Precharge Delay (tRP) 20...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 18 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Activate...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16 Дополнительно Напряжение питания 1.35 В Система охлаждения...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-3 Объём памяти 2 Гб Объем одного модуля 2 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Activate...
Вендор: CRUCIAL PartNumber / Артикул Производителя: BL2K16G32C16U4W Тип памяти: DDR4 Количество в упаковке: 2 Объем: 16384 МБ Частотная спецификация: 3200 Форм-фактор: DIMM Буферизация: unbuffered Количество контактов: 288-pin Показатель скорости:...
Объем памяти комплекта 32 ГБ Кол-во планок в комплекте 2 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 4000 МГц Пропускная способность 32000 МБ/с Схема таймингов памяти 18-19-19-39 Рабочее напряжение...
Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-3 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 1866 МГц Пропускная способность 15000 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 10 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 10 Activate...
Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 2 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая...
Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 2 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Схема таймингов памяти 18-22-22-42 Рабочее напряжение...
16 Гб, 2 модуля DDR-4, 35200 Мб/с, CL19-19-19-46, 1.4 В, радиатор, подсветка Производитель: Crucial Код производителя: BLM2K8G44C19U4BL Форм-фактор : DIMM Тип памяти : DDR-4 Объём памяти : 16 Гб Объем одного модуля : 8 Гб Количество модулей в комплекте : 2...
Общие характеристики Производитель Hynix Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Количество контактов 288 CL 22
Основные Производитель Crucial Код производителя CT32G4DFD832A Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 32 Гб Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 22...
Технические параметры Количество контактов 288-pin Форм-фактор RDIMM Частотная спецификация 3200 Тип поставки ret Тип памяти DDR4...
Технические параметры Количество контактов 288-pin Форм-фактор dimm Частотная спецификация 3200 Тип поставки oem Буферизация registered Латентность CL19 Показатель скорости PC4-22400 Количество рангов (Ranks) dual rank Error Checking and Correction (ECC) да Тип памяти DDR4...
Основные характеристики Артикул производителя (Part Number) HMAA4GR7AJR4N-XNTG Стандарт DDR4 Форм-фактор RDIMM Объем одного модуля 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 32 ГБ Эффективная частота 3200 МГц...
Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR-3 Объём памяти 4 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 11 Дополнительно Напряжение питания 1.35 В Система охлаждения...
Основные Производитель Crucial Код производителя CT4G4DFS6266 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 19...
Бренд: HYNIX Тип памяти: DDR4 Объем: 4096 Количество в упаковке: 1 Тип поставки: OEM Форм-фактор: DIMM Буферизация: unbuffered Количество контактов: 288-pin Напряжение (тест): 1.2В Тип пайки: original PartNumber/Артикул Производителя:...
Основные Производитель Kingmax Код производителя KM-LD4-2666-4GS Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 19...
4 Гб, DDR-4, 21300 Мб/с, CL19-19-19-43, 1.2 В, радиатор Производитель: Patriot Memory Код производителя: PSP44G266681H1 Форм-фактор : DIMM Тип памяти : DDR-4 Объём памяти : 4 Гб Объем одного модуля : 4 Гб Количество модулей в комплекте : 1 Тактовая частота :...
Общие параметры Модель Samsung Код производителя [M378A5244CB0-CWE] Год релиза 2020 Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Ранговость одноранговая Объем одного модуля памяти 4...
Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10660 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9
Характеристики Основные характеристики Стандарт DDR3 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет...
Общие параметры Модель Hynix Код производителя [H5TQ2G83CFR-PBC] Год релиза 2018 Объем и состав комплекта Тип памяти DDR3 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Объем одного модуля памяти 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...
Общие характеристики Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR3L Количество контактов 204-pin Объем 4096 Мб Показатель скорости PC3-12800 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 1600МГц Напряжение 1.35В Задержка 11-11-11 Латентность CL11...
Оперативная память является одной из важнейших деталей компьютера или ноутбука. Ее задача – обеспечивать временное хранение информации, необходимой для работы. В отличие от жесткого диска, оперативная память хранит данные только при включенном устройстве, а как только оно выключается –...
Показать еще 80 товаров