Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК :: Оперативная память

ОЗУ Samsung M425R1GB4BB0-CQK DDR5 8GB SODIMM 4800MHz

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M425R1GB4BB0-CQK] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M425R1GB4BB0-CWM0L SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40, OEM

Тип товара: Оперативная память Производитель: Samsung Модель: M425R1GB4BB0-CWM0L Цвет: Зеленый Объем памяти: 8 ГБ Частота памяти: 5600 МГц Стандарт памяти : DDR5 Дополнительно: PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40 Размеры: 6.96 x 0.3 x 3 см Вес: 10 г Размеры упаковки: 7 x 3 x...

ОЗУ Samsung M425R2GA3BB0-CQK DDR5 16GB 4800MHz OEM PC5-38400 CL40 SO-DIMM 288-pin 1.1В dual rank OEM

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung OEM Код производителя [M425R2GA3BB0-CQK] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CQK DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz OEM

Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M425R4GA3BB0-CQK Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR5 Объем одного модуля 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Тактовая частота 4800 МГц Количество контактов 262-pin Показатель скорости PC5-38400 Row Precharge Delay (tRP)...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CQK0L SO-DIMM DDR5 32ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M425R4GA3BB0-CQK0L Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CWM DDR5 32GB SODIMM 5600MHz 2Rx8, 1.1V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M425R4GA3BB0-CWM] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 SO-DIMM 8Gb 3200MHz PC4-25600 CL19 OEM

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A1G44AB0-CWE] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие Частота 3200...

ОЗУ Samsung M471A1G44CB0-CWED0 8GB 3200MHz SODIMM DDR4 М378А2* OEM

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 240-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Подсветка:нет...

ОЗУ SAMSUNG M471A1K43DB1-CWEDY 8GB SO-DIMM DDR4 PC25600

Тип памяти DDR4 CAS Latency (CL) 22 Пропускная способность PC4-25600 Частота (МГц) 3200 Количество модулей в комплекте (шт.) 1 Объем одного модуля (Гбайт) 8 Общий объем (Гбайт) 8 Форм-фактор SO-DIMM Вес 0.0065 кг Объем в упаковке 4.2 л Количество в упаковке (кратность) 1...

ОЗУ Samsung M471A2G43CB2-CWE DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V

Основные свойства Производитель Samsung Объём памяти 16 GB Серия модуля памяти PC4-25600 Форм-фактор SO-DIMM Количество контактов 260 pin Тип памяти DDR4 UDIMM Тактовая частота 3200 MHz Пропускная способность 25600 MB/s Тайминги CAS Latency (CL) 22 Напряжение питания 1.2...

ОЗУ SAMSUNG M471A2K43EB1-CWE SODIMM 16GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A2K43EB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 16 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ SAMSUNG M471A4G43AB1-CWE SODIMM 32GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A4G43AB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 32 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWED0 32GB (1x32GB), DDR4-3200, SODIMM, 2Rx8

Общая информация Производитель Samsung PN M471A4G43AB1-CWED0 Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм фактор SODIMM Количество контактов 260 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Объем 1 модуль 32Gb Общий объём 32 Гб Поддержка ECC нет Поддержка XMP...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWEDY DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M471A4G43AB1-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Частота 3200 МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43BB1-CWE DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A4G43BB1-CWE] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRC DDR4 4GB UNB SODIMM 2400, 1.2V

Стандарт DDR4 Форм-фактор SODIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество контактов 260...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRCD0l DDR4 4GB (PC4-19200) 2400MHz 1.2V SO-DIMM

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2400 МГц Пропускная способность:19200 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 4GB UNB SODIMM 3200, 1.2V

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL22...

ОЗУ Samsung Original M378A1K43CB2-CTD 8GB DDR4-2666 PC4-21300 CL19, 1.2V

Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 8 ГБ Эффективная частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M378A2K43CB1-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL16 Тайминги:16-16-16 Подсветка:нет Объем одного...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M471A5244CB0-CTD) SO-DIMM 4GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17 Тайминги:17-17-17 Подсветка:нет Объем одного модуля:4...

ОЗУ Samsung, CL19, 1.2V (M378A2G43MX3-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 16384 Мб Показатель скорости PC4-21300 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2666МГц Напряжение 1.2В Задержка 19-19-19 Латентность CL19...

ОЗУ Silicon Power (SP004GBSFU266X02) 4GB 2666МГц DDR4 CL19 SODIMM

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с CAS-латентность CL19 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный

ОЗУ Silicon Power (SP008GBLFU240B02), DDR 4 DIMM 8Gb PC19200, 2400Mhz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный...