Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК :: Оперативная память

ОЗУ Samsung (M391A1K43DB2-CVF) DDR4 8GB ECC UNB DIMM 2933Mhz, 1.2V

Основные Производитель Samsung Код производителя M391A1K43DB2-CVF Тип памяти DDR4 DIMM Объём памяти 8 Гб Объём одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2933 МГц Пропускная способность 23400 Мб/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung (M391A4G43AB1-CWEQY) DDR4 32GB DIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC 1.2V

Основные характеристики Производитель Samsung Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 32 Гб Общий объем памяти 32 Гб Тактовая частота 3200 МГц CL 22 Напряжение питания Напряжение питания, V 1.2 В

ОЗУ Samsung (M393A2K43DB3-CWEBY) DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Dual Rank 1.2V

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M393A2K43DB3-CWEBY Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288-pin Объем 16384 МБ Частотная спецификация 3200 Показатель скорости PC4-25600 Код коррекции ошибок (ECC) поддерживается Буферизация registered Латентность CL22...

ОЗУ Samsung (M393A4K40DB3-CWEBQ) DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Артикул производителя M393A4K40DB3-CWEBQ Бренд Samsung для сервера Форм-фактор RDIMM Тип памяти DDR4 Частота, мегагерц 3200 Общий объем, гигабайт 32 Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля, гигабайт 32 Игровая Нет Спецификация...

ОЗУ Samsung (M393A4K40EB3-CWECQ) DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Основное Тип DDR4 Общий объем памяти 32 Гб Форм-фактор RDIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 32 Гб Тактовая частота 3.2 ГГц Тайминги CL 22 Дополнительно Напряжение питания 1.2 V Пропускная способность, Мб 25600 МБ/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung (M393A8G40AB2-CVF) DDR4 64GB RDIMM (PC4-23400) 2933MHz ECC Reg 1.2V

Характеристики Samsung M393A8G40AB2-CVF Артикул производителя (Part Number) M393A8G40AB2-CVF Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор RDIMM Объем одного модуля 64 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 64...

ОЗУ Samsung (M393A8G40AB2-CWECQ) DDR4 64GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Основные характеристики Бренд Samsung Модель M393A8G40AB2-CWECQ Тип DDR4 Назначение Стационарные (настольные) ПК Форм-фактор RDIMM Объем одного модуля 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем всего...

ОЗУ Samsung (M471A1K43EB1-CWED0) DDR4 8GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Тип Оперативная память Производитель Samsung Игровая Нет Тип памяти DDR4 Наличие гарантии производителя есть Корпус Цвет Зеленый Оперативная память Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт Объем одного модуля 8 Гб Тактовая частота 2666 МГц CL 19 Суммарный...

ОЗУ Samsung 3rd, CL19, 1.2V (K4A8G045WC-BCTD/16) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 19...

ОЗУ Samsung Electronics M378A2G43CB3-CWE DDR4 DIMM 16GB UNB 3200, 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M378A2G43CB3-CWE] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт...

ОЗУ Samsung HMABAGL7CBR4N-XNT5 Electronics Hynix DDR4 3200MHz LRDIMM 128GB

Основные Производитель Hynix Код производителя HMABAGL7CBR4N-XNT5 Тип памяти DDR4 DIMM Объём памяти 128 Гб Объём одного модуля 128 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка ECC да...

ОЗУ Samsung K4A8G045WB-BCTD/16 16GB DDR4-2666 PC4-21300 3rd, CL19, 1.2V

Размер оперативной памяти 16,00 ГБ Размеры элемента 7,00 х 2,50 х 0,50 дюйма Скорость памяти 2666,00 МГц Объем памяти 16,00 ГБ Технология оперативной памяти SDRAM DDR4 Размер 16 гигабайт Тип ОЗУ DDR4 SDRAM

ОЗУ Samsung M321R8GA0BB0-CQK 96GB DDR5 4800MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC

Основные Производитель Samsung Код производителя M321R8GA0BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 64 Гб Объём одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да...

ОЗУ Samsung M321R8GA0BB0-CQK DDR5 64GB RDIMM 4800MHz (2R x 4) ECC Reg 1.1V

Серия продукции M321 Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR5 Объем одного модуля 64, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 64, ГБ Эффективная частота 4800, МГц Пропускная способность 38400, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Samsung M321R8GA0PB0-CWM DDR5 64GB 5600MHz OEM PC5-44800 CL40 DIMM ECC 288-pin 1.1В dual rank OEM

Характеристики: Модуль памяти Samsung 64 ГБ DIMM DDR5 5600 МГц, M321R8GA0PB0-CWM Производитель Samsung Тип памяти DDR5 Слот памяти DIMM Спецификация памяти REG Частота памяти 5600 МГц Пропускная способность модуля памяти(Мб/сек) 44800Мб/сек Количество...

ОЗУ Samsung M321R8GA0PB2-CCP DDR5 64GB RDIMM 6400 Mbps (2Rx4) ECC Reg 1.1V OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M321R8GA0PB2-CCP Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 64 Гб Объём одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 6400 МГц Пропускная способность 51200 Мб/с Поддержка ECC да Буферизованная...

ОЗУ Samsung M321RAGA0B20-CWK DDR5 128GB 4800MHz OEM PC5-38400 CL40 DIMM ECC 288-pin 1.1В dual rank OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M321RAGA0B20-CWK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 128 Гб Объём одного модуля 128 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да Буферизованная...

ОЗУ Samsung M323R1GB4DB0-CWM DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V

Оперативная память Samsung DDR5 8Gb 5600Mhz pc-44800 CL40 1.1V (M323R1GB4DB0-CWM) Характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR5 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:5600 МГц Пропускная...

ОЗУ Samsung M323R1GB4PB0-CWM DDR5 DIMM 8GB 1Rx16 UNB 5600

Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M323R1GB4PB0-CWM Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объем одного модуля 8 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC5-38400 Row Precharge Delay (tRP) 40 RAS to CAS Delay (tRCD) 40...

ОЗУ Samsung M323R1GB4PB0-CWM0D 8GB UDIMM DDR5-5600MHz

Основные Суммарный объем памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Емкость одного модуля 8 ГБ Тип памяти DDR5 Пропускная способность, Мб/с 38400 Тактовая частота, МГц 5600 Форм-фактор RAM UDIMM Конструкция Радиатор...

ОЗУ Samsung M323R2GA3DB0-CWM DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M323R2GA3DB0-CWM Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт...