Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК :: Оперативная память

ОЗУ SAMSUNG M471A2K43EB1-CWE SODIMM 16GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A2K43EB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 16 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ SAMSUNG M471A4G43AB1-CWE SODIMM 32GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A4G43AB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 32 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWED0 32GB (1x32GB), DDR4-3200, SODIMM, 2Rx8

Общая информация Производитель Samsung PN M471A4G43AB1-CWED0 Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм фактор SODIMM Количество контактов 260 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Объем 1 модуль 32Gb Общий объём 32 Гб Поддержка ECC нет Поддержка XMP...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWEDY DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M471A4G43AB1-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Частота 3200 МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43BB1-CWE DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A4G43BB1-CWE] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRC DDR4 4GB UNB SODIMM 2400, 1.2V

Стандарт DDR4 Форм-фактор SODIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество контактов 260...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRCD0l DDR4 4GB (PC4-19200) 2400MHz 1.2V SO-DIMM

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2400 МГц Пропускная способность:19200 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 4GB UNB SODIMM 3200, 1.2V

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL22...

ОЗУ Samsung Original M378A1K43CB2-CTD 8GB DDR4-2666 PC4-21300 CL19, 1.2V

Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 8 ГБ Эффективная частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M378A2K43CB1-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL16 Тайминги:16-16-16 Подсветка:нет Объем одного...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M471A5244CB0-CTD) SO-DIMM 4GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17 Тайминги:17-17-17 Подсветка:нет Объем одного модуля:4...

ОЗУ Samsung, CL19, 1.2V (M378A2G43MX3-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 16384 Мб Показатель скорости PC4-21300 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2666МГц Напряжение 1.2В Задержка 19-19-19 Латентность CL19...

ОЗУ Silicon Power (SP004GBSFU266X02) 4GB 2666МГц DDR4 CL19 SODIMM

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с CAS-латентность CL19 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный

ОЗУ Silicon Power (SP008GBLFU240B02), DDR 4 DIMM 8Gb PC19200, 2400Mhz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный...

ОЗУ Silicon Power (SP008GBSTU160N02) DDR3 SODIMM 8GB PC3-12800, 1600MHz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с CAS-латентность CL11 Рабочее напряжение 1.5 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный

ОЗУ Silicon Power (SP008GLSTU160N02) DDR3 SODIMM 8GB PC3-12800, 1600MHz 1.35V

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с CAS-латентность CL11 Схема таймингов памяти 11-11-11 Рабочее напряжение 1.35 В Тип охлаждения без охлаждения...

ОЗУ Silicon Power 16GB 2666МГц DDR4 CL19 DIMM 2Gx8 SR SP016GBLFU266F02

Основные Производитель Silicon Power Код производителя SP016GBLFU266B02/SP016GBLFU266F02 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с...

ОЗУ Silicon Power 4GB (SP004GBLFU240N02) 2400МГц DDR4 CL17 DIMM 512Mx8 SR

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения

ОЗУ Silicon Power 4GB (SP004GBLFU266N02) 2666МГц DDR4 CL19 DIMM 512Mx16 SR

Бренд Silicon Power Название товара Модуль оперативной памяти Модель SP004GBLFU266N02 Назначение стационарные (настольные) ПК Количество модулей памяти в комплекте, шт. 1 Тип модуля памяти DDR4 Объём 4Gb Объем одного модуля памяти 4Gb Форм-фактор...

ОЗУ Silicon Power 4GB 2666МГц DDR4 CL19 DIMM SP004GBLFU266X02

Основные Производитель Silicon Power Код производителя SP004GBLFU266X02 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 4 Гб Объем одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency...

ОЗУ Silicon Power 8GB (SP008GBLFU266B02) 2666МГц DDR4 CL19 DIMM 1Gx8 SR

Назначение: для системного блока Тип поставки: один модуль 1x8Gb Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 Мб/с Поддержка ECC: нет Буферизованная: нет Латентность: CL16 Подсветка: нет Объем...

ОЗУ Silicon Power 8GB (SP008GBSFU240B02) 2400МГц DDR4 CL17 SODIMM 1Gx8 SR

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки...

ОЗУ Silicon Power 8GB (SP008GBSFU266B02) 2666МГц DDR4 CL19 SODIMM 1Gx8 SR

Основные Производитель Silicon Power Код производителя SP008GBSFU266B02 Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 8 Гб Объём одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги...

ОЗУ Silicon Power 8GB 2666МГц DDR4 CL19 DIMM SP008GBLFU266X02

Название Оперативная память Silicon Power 8GB 2666MHz CL19 Категория Модули памяти Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 8 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет...

ОЗУ Silicon Power 8GB 3600МГц DDR4 CL18 DIMM 1Gx8 SR SP008GXLZU360BSA

Основные Производитель Silicon Power Код производителя SP008GXLZU360BSA Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency...

ОЗУ Silicon Power DDR4 16GB 2666MHz CL19 1.2 V SP016GBLFU266B02

Основные Производитель Silicon Power Код производителя SP016GBLFU266B02/SP016GBLFU266F02 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с...

ОЗУ Silicon Power DDR4 16GB 3200MHz CL22 1.2 V SP016GBLFU320X02

Основные Производитель Silicon Power Код производителя SP016GBLFU320X02 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL)...

ОЗУ Silicon Power DDR4 8GB 3200MHz CL22 1.2 V SP008GBLFU320X02

Основные Производитель Silicon Power Код производителя SP008GBLFU320X02 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 8 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL)...

ОЗУ Silicon Power DDR4 DIMM 32Gb (16Gbx2) (SP032GXLZU266BDA) PC21300, 2666Mhz, XPOWER Turbine SP016GXLZU266BSA

32 Гб, 2 модуля DDR-4, 21300 Мб/с, CL16, 1.2 В, радиатор Производитель: Silicon Power Код производителя: SP032GXLZU266BDA Форм-фактор : DIMM Тип памяти : DDR-4 Объём памяти : 32 Гб Объем одного модуля : 16 Гб Количество модулей в комплекте : 2 Тактовая частота :...