Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК :: Оперативная память

ОЗУ PATRIOT Xtreme 5 RGB Mpower (PVXR532G80C38KM) DDR 5 DIMM 32Gb (16Gbx2) 8000Mhz, (retail)

Основные Производитель Patriot Memory Код производителя PVXR532G80C38KM Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 8000 МГц Пропускная способность 64000 Мб/с Поддержка ECC...

ОЗУ PATRIOT Xtreme 5 RGB Mpower (PVXR548G60C30KM) DDR 5 DIMM 48Gb (24Gbx2) 6000Mhz, (retail)

Основные Производитель Patriot Memory Код производителя PVXR548G60C30KM Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 48 Гб Объём одного модуля 24 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 6000 МГц Пропускная способность 48000 Мб/с...

ОЗУ PATRIOT Xtreme 5 RGB Mpower (PVXR548G80C38KM) DDR 5 DIMM 48Gb (24Gbx2) 8000Mhz, (retail)

Основные Производитель Patriot Memory Код производителя PVXR548G80C38KM Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 48 Гб Объём одного модуля 24 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 8000 МГц Пропускная способность 64000 Мб/с...

ОЗУ Pioneer APS-M44GU0N26 4GB DDR4/2666/U-DIMM 1,2V OEM

Основные характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти UDIMM Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем комплекта 4 ГБ Эффективная частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/c Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет...

ОЗУ PNY MD16GK2D4266616XR 16GB,DDR4,DIMM,2666,2KIT,AXR

Основные Производитель PNY Код производителя MD16GK2D4266616XR Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16...

ОЗУ PNY MD16GK2D4320016XRGB 16GB,DDR4,3200,2KIT,XLR8

Основные Производитель PNY Код производителя MD16GK2D4320016XRGB Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16...

ОЗУ PNY MD16GK2D4360018XRGB 16GB, DDR4,DIMM,3600,2KIT,XLR8

Основные Производитель PNY Код производителя MD16GK2D4360018XRGB Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 18...

ОЗУ PNY MD16GSD42666 16GB DDR4 2666 DIMM

Основные Производитель PNY Код производителя MD16GSD42666 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 19...

ОЗУ PNY MD32GK2D4320016XR 32GB,DDR4,DIMM,3200,2KIT,AXR

Основные Производитель PNY Код производителя MD32GK2D4320016XR Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 32 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16...

ОЗУ PNY MD32GK2D4360018XRGB 32GB DDR4 3600 DIMM XLR8 EPIC-X RGB Gaming Memory Non-ECC, CL18, 1.35V, Heat Shield, XMP 2.0, Kit (2x16GB), RT

Основные Производитель PNY Код производителя MD32GK2D4360018XRGB Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 32 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3600 МГц Пропускная способность 28800 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 18...

ОЗУ PNY XLR8 EPIC-X RGB MD32GK2D4320016XRGB 32GB DDR4 3200 DIMM Gaming Memory

Основные Производитель PNY Код производителя MD32GK2D4320016XRGB Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 32 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 2 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL) 16...

ОЗУ PNY XLR8 Gaming EPIC-X RGB MD16GD4320016XRGB 16Gb DDR4 3200MHz Non-ECC, CL16, 1.35V, Heat Shield, XMP 2.0

Основные Производитель PNY Код производителя MD16GD4320016XRGB Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS...

ОЗУ QNAP (RAM-16GDR4A1-UD-2400) 16GB DDR4 ОЗУ, 2400 MHz, UDIMM

Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 16 ГБ Эффективная частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Поддержка ECCНет Буферизованная (регистровая)Нет Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Qnap (RAM-4GDR3L-SO-1600) SO-DIMM DDR3L 4 ГБ для TS-x51

Характеристики QNAP RAM-4GDR3L-SO-1600 Прочие Товар для геймеров Нет Линейка для группировки QNAP RAM-DR3L-SO Основные характеристики Стандарт DDR3 Форм-фактор SODIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1...

ОЗУ QNAP (RAM-4GDR4A0-UD-2400) U-DIMM DDR4 4GB 2400 GHz for TS-873U, TS-873U-RP, TS-1273U, TS-1273U-RP, TS-1673U, TS-1673U-RP

QNAP RAM-4GDR4A0-UD-2400 Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с CAS-латентность CL17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль...

ОЗУ QNAP RAM-4GDR3LA0-SO-1866 4GB DDR3L RAM, 1866 MHz, SO-DIMM

Основные характеристики Стандарт DDR3L Форм-фактор SODIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 1866 МГц Пропускная способность 14900 Мб/с Поддержка ECC...

ОЗУ QNAP RAM-4GDR4A0-SO-2666 RAM 4 GB DDR4, 2666 MHz, SO-DIMM

QNAP RAM-4GDR4A0-SO-2666 Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с CAS-латентность CL17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки...

ОЗУ QNAP RAM-4GDR4ECP0-UD-2666 4GB ECC DDR4 RAM, 2666 MHZ, UDIMM

Характеристики Назначение:RAID-накопитель Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:UDIMM Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная:нет Латентность:CL17 Подсветка:нет Объем одного модуля:4 Гб Кол-во модулей...

ОЗУ QNAP RAM-8GDR3-SO-1600 8 ГБ DDR3 для TVS-x71 RAM

QNAP RAM-8GDR3-SO-1600 Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Рабочее напряжение 1.5 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки...

ОЗУ QNAP RAM-8GDR4A0-UD-2400 U-DIMM DDR4 8GB 2400 GHz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с CAS-латентность CL17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный

ОЗУ QNAP RAM-8GDR4ECT0-RD-2400 R-DIMM DDR4 8GB ECC RAM,2400MHz

Модуль памяти Qnap RAM-8GDR4ECT0-RD-2400 Характеристики Назначение:RAID-накопитель Тип поставки:один модуль 1x8Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:RDIMM Тактовая частота:2400 МГц Пропускная способность:19200 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:- Подсветка:нет...

ОЗУ QUMO (QUM4Reg-32G3200S22) 32GB DDR-4 3200 MHz ECC reg 2R*8 CL22 288P 1.2V

Оперативная память DIMM QUMO 32GB DDR4-3200 (QUM4Reg-32G3200S22) Характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x32Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с...

ОЗУ QUMO (QUM4S-16G2933N21) 16GB SO-DIMM DDR-4 2933MHz 2Gx8 CL21 260P 1.2V

Объем памяти комплекта 16 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 2933 МГц Пропускная способность 23400 МБ/с CAS-латентность CL21 Схема таймингов памяти 21-21-21 Рабочее напряжение 1.2 В...

ОЗУ QUMO (QUM4S-16G3200N22) SO-DIMM DDR-4 16GB QUMO 3200MHz 2Gx8 CL22 260P 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель QUMO Код производителя [QUM4S-16G3200N22] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Частота 3200 МГц...

ОЗУ QUMO (QUM4S-8G3200P22) DDR4 SODIMM 8GB PC4-25600, 3200MHz OEM/RTL

Бренд Qumo Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Объем 8 GB Количество модулей памяти в комплекте 1 Поддержка ECC Нет Буферизованная...

ОЗУ QUMO (QUM4U-32G3200N22) DDR4 DIMM 32GB PC4-25600, 3200MHz OEM

Общие параметры Тип оперативная память Модель QUMO Код производителя [QUM4U-32G3200N22] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Регистровая...

ОЗУ QUMO (QUM5U-16G4800N40) 16GB Long DIMM DDR5 4800MHz 2Gх8 CL40-40-40-76 288P 1.1V

Характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR5 Форм-фактор:UDIMM Тактовая частота:4800 МГц Пропускная способность:38400 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL40...

ОЗУ Qumo Q4Rev-4G2400C16Prim revolution Primary Black 4GB DDR4-2400 PC4-19200 CL16, 1.2V, Single Rank, retail

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет...

ОЗУ QUMO Q4Rev-4G2800C16Prim DDR4 4GB reVolution Primary Black heat spreader 2800 Mhz XMP 16-18-18-36 1.2V 512*8 Single Rank retail

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 2800 МГц Пропускная способность 22400 МБ/с CAS-латентность CL16 Схема таймингов памяти...

ОЗУ Qumo QUM3S-4G1600C11 SO-DIMM 4GB DDR3-1600 PC3-12800, CL11, 1.5V, retail

Объем модуля памяти 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Оперативная память 1 модуль в комплекте Частота функционирования до 1600 МГц Стандарт памяти PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) Пропускная способность памяти 12800 Мб/сек Латентность CL11 Тип оборудования Модуль памяти...

ОЗУ QUMO QUM4S-16G2666P19 SO-DIMM DDR4 16GB 2666MHz 1Gx8 CL19

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low...

ОЗУ Qumo QUM4S-4G2400C16 SO-DIMM 4GB DDR4-2400 PC4-19200 CL16, 1.2V, Single Rank, Retail

Производитель QUMO Модель QUM4S-4G2400C16 Объем модуля памяти 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Частота функционирования до 2400 МГц Стандарт памяти PC4-19200 (DDR4 2400 МГц) Латентность CL16 Напряжение питания 1.2 В (DDR4) Конфигурация Чип 512M x 8-bit

ОЗУ Qumo QUM4S-4G2666C19 SO-DIMM 4GB DDR4-2666 PC4-21300 CL19, 1.5V, Single Rank, Retail

Общие характеристики Тип памяти DDR 4 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с Объем 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC нет Поддержка XMP нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 Дополнительно...

ОЗУ QUMO QUM4S-8G2133C15 DDR4 SODIMM 8GB PC4-17000, 2133MHz

Производитель Qumo Применение Для ноутбука Тип памяти SODIMM DDR4 Спецификация памяти non ECC Частота модуля (МГц) 2133МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 17000Мб/сек Количество модулей в комплекте 1 Объём модуля памяти (ГБ) 8ГБ Напряжение питания модуля памяти 1.2V...

ОЗУ QUMO QUM4S-8G2133P15 SO-DIMM DDR-4 8GB 2133MHz 1Gx8 CL15

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность 17000 МБ/с CAS-латентность CL15 Схема таймингов памяти 15-15-15 Рабочее напряжение 1.2 В...

ОЗУ QUMO QUM4S-8G2666C19 DDR4 SODIMM 8GB PC4-21300, 2666MHz OEM/RTL

Тип памяти: SODIMM DDR4 Применение: Для ноутбука Спецификация памяти: non ECC Напряжение питания модуля памяти: 1.2V Объём модуля памяти: 8 Количество модулей в комплекте: 1 Частота модуля: 2666 Пропускная способность модуля памяти: 21300 Латентность модуля памяти: CL19 Ширина...

ОЗУ Qumo QUM4S-8G2666P19 SO-DIMM 8GB DDR4-2666 PC4-21300 CL19, 1.2V, Retail

Объем модуля памяти 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Частота функционирования до 2666 МГц Стандарт памяти PC4-21300 (DDR4 2666 МГц) Пропускная способность памяти 21300 Мб/сек Латентность CL19 Тип оборудования Модуль памяти DDR4 Напряжение питания 1.2 В (DDR4)...

ОЗУ QUMO QUM4S-8G2933P21 SO-DIMM DDR-4 8GB 32933MHz PC-19200 1Gx8 CL21 Single Rank Retail

Производитель QUMO Модель QUM4S-8G2933P21 Тип оборудования Модуль памяти SO-DIMM DDR4 Объем модуля памяти 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Производительность Частота функционирования до 2400 МГц Стандарт памяти PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Латентность CL21...

ОЗУ QUMO QUM4U-16G2400N17 DDR4 16GB 2400 MHz PC-19200 2Gx8 CL17 288P 1.2V

Технические характеристики оперативной памяти Qumo QUM4U-16G2400N17 Общая информация Производитель Qumo PN QUM4U-16G2400N17 Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм фактор DIMM Количество контактов 288 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Объем 1...

ОЗУ QUMO QUM4U-16G2933P21 DDR4 DIMM 16GB PC4-23400, 2933MHz

Бренд Qumo Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2933 МГц Пропускная способность 23400 МБ/с Объем 16 GB Поддержка ECC Нет Буферизованная (Registered) Нет Низкопрофильная (Low Profile) Нет Тайминги CAS Latency (CL) 21...

ОЗУ QUMO QUM4U-16G3200N22 DDR-4 16GB 3200MHz U-dimm CL22 1.2V 288 pin 2G*8 Dual Rank

Стандарт памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM Объем памяти: 16 Гб Частота функционирования: 3200 МГц Пропускная способность: PC4-25600 Латентность: CL22 Напряжение питания: 1.2 В Количество контактов модуля: 288 Тип чипа: 2G*8 Ранг: Одноранговая...

ОЗУ Qumo QUM4U-16G3200P22 16GB DDR4-3200 PC4-25600, CL22, 1.2V

Общие параметры Модель QUMO Код производителя [QUM4U-16G3200P22] Год релиза 2021 Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Ранговость двухранговая Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте...

ОЗУ QUMO QUM4U-4G3200C22 DDR4 DIMM 4GB PC4-25600, 3200MHz OEM/RTL

Основные Производитель QUMO Код производителя QUM4U-4G3200C22 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Объём памяти 4 Гб Объём одного модуля 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Тайминги CAS Latency (CL)...

ОЗУ QUMO QUM4U-8G2133C15 DDR4 DIMM 8GB PC4-17000, 2133MHz

Общие параметры Модель Qumo [QUM4U-8G2133C15] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Тактовая частота 2133 МГц Пропускная способность...

ОЗУ Qumo QUM4U-8G2400M16 8GB DDR4-2400 PC4-19200, CL16, 1.2V, Dual rank, Intel only, retail

Производитель Qumo Модель QUM4U-8G2400M16 Количество модулей в комплекте (шт) 1 Общий объем памяти (ГБ) 8 Тип модуля DIMM Частота (MHz) DDR-IV 2400 Пропускная способность (МБ/с) 19200 Поддержка Reg Нет Поддержка ECC Нет Количество контактов 288 Охлаждение Нет Напряжение (В) 1.2

ОЗУ Qumo QUM4U-8G2666C19 8GB DDR4-2666 PC4-19200, CL19 288P Dual rank

Общие параметры Тип оперативная память Модель QUMO Код производителя [QUM4U-8G2666C19] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в...

ОЗУ Qumo QUM4U-8G2933P21 8GB DDR4-2933 PC4-23400, CL21, 1,2V

Общие характеристики Тип памяти: DDR4 Общий объём памяти, Гб: 8 Количество модулей: 1 Тактовая частота: 2933 МГц Пропускная способность: 23400 МБ/с Форм-фактор: DIMM 288-контактный Низкопрофильная (Low Profile): нет Поддержка ECC: нет Буферизованная...

ОЗУ QUMO QUM4U-8G2933PP21 DDR4 8GB/2933 (single rank, 1Gx16, 2933 MHz, CL21)

Модель QUM4U-8G2933PP21 Тип оборудования Модуль памяти DDR4 Объем модуля памяти 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Производительность Частота функционирования до 2933 МГц Стандарт памяти PC4-23400 (DDR4 2933 МГц) Пропускная способность памяти 23400 Мб/сек...

ОЗУ Qumo QUM4U-8G3200P22 8GB DDR4-3200 PC4-25600, CL22, 1.2V

Объем товара в упаковке, м3 0.01 Вес товара в упаковке, кг 0.06 Модель QUM4U-8G3200P22 Производитель Qumo Поддержка ECC Нет Количество модулей в комплекте (шт) 1 Радиатор Нет Объем одного модуля (ГБ) 8 Низкопрофильная нет Тип модуля DIMM Поддержка водяного охлаждения нет...

ОЗУ QUMO QUM5U-32G4800N40 DDR5 DIMM 32Gb 4800MHz, CL40, 1.1V

Основные Производитель QUMO Код производителя QUM5U-32G4800N40 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Тайминги CAS Latency...

ОЗУ Qumo QUM5U-32G5600N46 DDR5 32GB DIMM 5600MHz

Основные Производитель QUMO Код производителя QUM5U-32G5600N46 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 5600 МГц Пропускная способность 44800 Мб/с...

ОЗУ QUMO reVolution Primary (Q4Rev-8G2800P16PrimR) Red DDR-4 8GB heat spreader 2800 Mhz XMP 16-18-18-36 1.2V (1024*8) Single Rank retail

Общие параметры Модель Qumo ReVolution Primary Код производителя Q4Rev-8G2800P16PrimR Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Тактовая...

ОЗУ Samsung (M378A1K43DB2-CTD) DDR4 DIMM 8GB PC4-21300, 2666MHz

Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Регистровая память нет ECC-память нет Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность PC21300 Профили Intel XMP нет...

ОЗУ Samsung (M378A1K43EB2-CWE) DDR4 8GB DIMM 3200MHz

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M378A1K43EB2-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1...

ОЗУ Samsung (M378A2K43EB1-CWEDY) DDR4 16GB DIMM 3200MHz

Общие параметры Тип серверная оперативная память Модель Samsung Код производителя M378A2K43EB1-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ...

ОЗУ Samsung (M378B5273CH0-CH9) DDR3 DIMM 4GB (PC3-12800) 1600MHz, ORIGINAL

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1333 МГц Пропускная способность 10600 МБ/с CAS-латентность CL9 Схема таймингов памяти 9-9-9 Рабочее напряжение 1.5 В Тип охлаждения без охлаждения...

ОЗУ Samsung (M391A1K43DB2-CVF) DDR4 8GB ECC UNB DIMM 2933Mhz, 1.2V

Основные Производитель Samsung Код производителя M391A1K43DB2-CVF Тип памяти DDR4 DIMM Объём памяти 8 Гб Объём одного модуля 8 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2933 МГц Пропускная способность 23400 Мб/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung (M391A4G43AB1-CWEQY) DDR4 32GB DIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC 1.2V

Основные характеристики Производитель Samsung Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 32 Гб Общий объем памяти 32 Гб Тактовая частота 3200 МГц CL 22 Напряжение питания Напряжение питания, V 1.2 В

ОЗУ Samsung (M393A2K43DB3-CWEBY) DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Dual Rank 1.2V

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M393A2K43DB3-CWEBY Тип DDR4 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288-pin Объем 16384 МБ Частотная спецификация 3200 Показатель скорости PC4-25600 Код коррекции ошибок (ECC) поддерживается Буферизация registered Латентность CL22...

ОЗУ Samsung (M393A4K40DB3-CWEBQ) DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Артикул производителя M393A4K40DB3-CWEBQ Бренд Samsung для сервера Форм-фактор RDIMM Тип памяти DDR4 Частота, мегагерц 3200 Общий объем, гигабайт 32 Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля, гигабайт 32 Игровая Нет Спецификация...

ОЗУ Samsung (M393A4K40EB3-CWECQ) DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Основное Тип DDR4 Общий объем памяти 32 Гб Форм-фактор RDIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 32 Гб Тактовая частота 3.2 ГГц Тайминги CL 22 Дополнительно Напряжение питания 1.2 V Пропускная способность, Мб 25600 МБ/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung (M393A8G40AB2-CVF) DDR4 64GB RDIMM (PC4-23400) 2933MHz ECC Reg 1.2V

Характеристики Samsung M393A8G40AB2-CVF Артикул производителя (Part Number) M393A8G40AB2-CVF Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор RDIMM Объем одного модуля 64 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 64...

ОЗУ Samsung (M393A8G40AB2-CWECQ) DDR4 64GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Основные характеристики Бренд Samsung Модель M393A8G40AB2-CWECQ Тип DDR4 Назначение Стационарные (настольные) ПК Форм-фактор RDIMM Объем одного модуля 64 ГБ Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем всего...

ОЗУ Samsung (M471A1K43EB1-CWED0) DDR4 8GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Тип Оперативная память Производитель Samsung Игровая Нет Тип памяти DDR4 Наличие гарантии производителя есть Корпус Цвет Зеленый Оперативная память Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 шт Объем одного модуля 8 Гб Тактовая частота 2666 МГц CL 19 Суммарный...

ОЗУ Samsung 3rd, CL19, 1.2V (K4A8G045WC-BCTD/16) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор DIMM 288-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 19...

ОЗУ Samsung Electronics M378A2G43CB3-CWE DDR4 DIMM 16GB UNB 3200, 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M378A2G43CB3-CWE] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт...

ОЗУ Samsung HMABAGL7CBR4N-XNT5 Electronics Hynix DDR4 3200MHz LRDIMM 128GB

Основные Производитель Hynix Код производителя HMABAGL7CBR4N-XNT5 Тип памяти DDR4 DIMM Объём памяти 128 Гб Объём одного модуля 128 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка ECC да...

ОЗУ Samsung K4A8G045WB-BCTD/16 16GB DDR4-2666 PC4-21300 3rd, CL19, 1.2V

Размер оперативной памяти 16,00 ГБ Размеры элемента 7,00 х 2,50 х 0,50 дюйма Скорость памяти 2666,00 МГц Объем памяти 16,00 ГБ Технология оперативной памяти SDRAM DDR4 Размер 16 гигабайт Тип ОЗУ DDR4 SDRAM

ОЗУ Samsung M321R8GA0BB0-CQK 96GB DDR5 4800MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC

Основные Производитель Samsung Код производителя M321R8GA0BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 64 Гб Объём одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да...

ОЗУ Samsung M321R8GA0BB0-CQK DDR5 64GB RDIMM 4800MHz (2R x 4) ECC Reg 1.1V

Серия продукции M321 Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR5 Объем одного модуля 64, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 64, ГБ Эффективная частота 4800, МГц Пропускная способность 38400, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Samsung M321R8GA0PB0-CWM DDR5 64GB 5600MHz OEM PC5-44800 CL40 DIMM ECC 288-pin 1.1В dual rank OEM

Характеристики: Модуль памяти Samsung 64 ГБ DIMM DDR5 5600 МГц, M321R8GA0PB0-CWM Производитель Samsung Тип памяти DDR5 Слот памяти DIMM Спецификация памяти REG Частота памяти 5600 МГц Пропускная способность модуля памяти(Мб/сек) 44800Мб/сек Количество...

ОЗУ Samsung M321RAGA0B20-CWK DDR5 128GB 4800MHz OEM PC5-38400 CL40 DIMM ECC 288-pin 1.1В dual rank OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M321RAGA0B20-CWK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 128 Гб Объём одного модуля 128 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да Буферизованная...

ОЗУ Samsung M323R1GB4DB0-CWM DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V

Оперативная память Samsung DDR5 8Gb 5600Mhz pc-44800 CL40 1.1V (M323R1GB4DB0-CWM) Характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR5 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:5600 МГц Пропускная...

ОЗУ Samsung M323R1GB4PB0-CWM DDR5 DIMM 8GB 1Rx16 UNB 5600

Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M323R1GB4PB0-CWM Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объем одного модуля 8 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC5-38400 Row Precharge Delay (tRP) 40 RAS to CAS Delay (tRCD) 40...

ОЗУ Samsung M323R1GB4PB0-CWM0D 8GB UDIMM DDR5-5600MHz

Основные Суммарный объем памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Емкость одного модуля 8 ГБ Тип памяти DDR5 Пропускная способность, Мб/с 38400 Тактовая частота, МГц 5600 Форм-фактор RAM UDIMM Конструкция Радиатор...

ОЗУ Samsung M323R2GA3DB0-CWM DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M323R2GA3DB0-CWM Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт...

ОЗУ Samsung M323R2GA3PB0-CWM DDR5 16GB DIMM 5600MHz

Основные характеристики Производитель Samsung Тип DDR5 Форм-фактор DIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 16 Гб Общий объем памяти 16 Гб Тактовая частота 5600 MHz Напряжение питания Напряжение питания...

ОЗУ Samsung M323R4GA3BB0-CQK DDR5 32Gb 4800MHz RTL PC5-38400 CL40 DIMM 288-pin 1.1В dual rank Ret

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M323R4GA3BB0-CQK Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1...

ОЗУ Samsung M323R4GA3BB0-CQKOD DDR5 DIMM 32GB UNB 4800 1Rx8, 1.1V

Конструкция Подсветка Нет Радиатор Нет Габариты и вес Цвет Зеленый Основное Поддержка ECC Нет Общий объём (ГБ) 32 Тип памяти DDR5 Тактовая частота (МГц) 4800 Пропускная способность (Мб/с) 38400 Тип модуля DIMM Тайминги CAS Latency (CL) 40 RAS...

ОЗУ Samsung M324R4GA3BB0-CQK DDR5 32GB ECC UDIMM 4800MHz (2Rx8) 1.1V, OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M324R4GA3BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung M378A1G44CB0-CWE DDR4 DIMM 8GB PC4-25600, 3200MHz

Samsung Electronics M378A1G44CB0-CWE - технические характеристики Форм-фактор UDIMM Объем одного модуля 8 Тип памяти DDR4 Общий объем 8 Количество модулей в комплекте 1 Частота 3200

ОЗУ Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB DDR4-2400 PC4-19200 Original, CL17, 1.2V

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с CAS-латентность CL17 Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип...

ОЗУ Samsung M378A1K43EB2-CVF00 DDR4 DIMM 8GB UNB 2933, 1.2V

Характеристики Производитель Samsung Модель M378A1K43EB2 Применение Для ПК Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти non ECC Частота модуля (МГц) 2933МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 23400Мб/сек Объём модуля памяти (ГБ) 8ГБ Напряжение питания модуля памяти 1.2V...

ОЗУ Samsung M378A1K43EB2-CWED0 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM

Оперативная память Samsung 8Gb DDR4-3200 (M378A1K43EB2-CWED0) Характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с...

ОЗУ Samsung M378A1K43EB2-CWED0 DDR4 DIMM 8GB UNB 3200, 1.2V

Производитель Samsung Модель M378A1K43EB2-CWED0 Применение Для ПК Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти non ECC Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Количество модулей в комплекте 1 Объём модуля памяти (ГБ) 8ГБ Напряжение...

ОЗУ Samsung M378A2G43CB3-CWED0 DDR4 DIMM 16GB, 1.2V UNB 3200

Samsung M378A2G43CB3-CWED0 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 16 Тип памяти DDR4 Частота 3200 Количество модулей в комплекте 1 Пропускная способность PC4-25600 CAS Latency (CL) 22 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Общий объем памяти 16