Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК :: Оперативная память

ОЗУ Samsung M378A4G43MB1-CTD OEM DDR4 32Gb 2666MHz PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank

Объем модуля: 32 ГБ Гарантия: 24 мес. Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR4 Количество контактов: 288-pin Режим работы: двухканальный Показатель скорости: PC4-21300 Буферизация: unbuffered Поддержка ECC: не поддерживается Скорость: 2666МГц...

ОЗУ Samsung M378A5143TB2-CTDD0 DDR4 4Gb 2666MHz OEM PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В single rank

Общие характеристики Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота: 2666 МГц Пропускная способность: 21300 МБ/с Объем: 1 модуль 4 ГБ Поддержка ECC: нет Поддержка XMP: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Тайминги CAS Latency...

ОЗУ SAMSUNG M378A5244CB0-CRCD0 DIMM 4GB PC19200 DDR4

288-pin; частота: 2666; форм-фактор: DIMM; тип поставки: OEM Объем модуля: 4 ГБ Форм-фактор: DIMM Тип памяти: DDR4 Количество контактов: 288-pin Показатель скорости: PC4-21300 Буферизация: unbuffered Поддержка ECC: не поддерживается Скорость: 2666МГц Напряжение: 1.2В...

ОЗУ Samsung M378A5244CB0-CTD DDR4 4Gb 2666MHz OEM PC4-21300 DIMM 288-pin 1.2В quad rank

Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм-фактор SODIMM 260-контактный Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Объем 1 модуль 16 ГБ Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile)...

ОЗУ SAMSUNG M378A5244CB0-CWED0 DIMM 4GB PC25600 DDR4

Производитель Samsung Модель M378A5244CB0 Применение Для ПК Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти non ECC Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Объём модуля памяти (ГБ) 4ГБ Напряжение питания модуля памяти 1.2V Количество...

ОЗУ Samsung M386AAG40BM3-CWE 128GB DDR4 3200MHz 4Rx4 LRDIMM Registred ECC, RTL

Основные характеристики Тип Модуль памяти Модель M386AAG40BM3-CWE Тип памяти Registred Форм-фактор RDIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля, ГБ 128 Количество модулей в комплекте, шт 1...

ОЗУ Samsung M386AAG40BM3-CWEZY DDR4 128GB LRDIMM 3200 1.2V 4Rx4

Samsung Electronics M386AAG40BM3-CWEZY - технические характеристики Форм-фактор памяти LRDIMM Объем одного модуля 128 Тип памяти DDR4 Частота 3200 Количество модулей в комплекте 1 Номинальное напряжение 1.2 Модуль со сниженной нагрузкой (LDRDIMM) 1 Общий объем памяти 128 Память...

ОЗУ Samsung M391A2G43BB2-CWEQY DDR4 16GB DIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC 1.2V

Модуль памяти Samsung 16GB DIMM DDR4 ECC 3200MHz, M391A2G43BB2-CWEQY Производитель Samsung Модель M391A2G43BB2 Применение Для сервера Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти ECC Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Объём модуля...

ОЗУ Samsung M393A1K43DB1-CWEBY 8GB RDIMM DDR4 (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Основное Тип DDR4 Форм-фактор RDIMM (Registered) Количество модулей в комплекте 1 шт Объем одного модуля 8 Гб Общий объем памяти 8 Гб Тактовая частота 3.2 ГГц Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered (RDIMM)) есть Дополнительно Напряжение питания 1.2 В Количество...

ОЗУ Samsung M393A1K43DB2-CWE DDR4 8Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с CAS-латентность CL22 Схема таймингов памяти 22-22-22 Рабочее напряжение 1.2 В...

ОЗУ Samsung M393A2K40EB3-CWEBY DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Характеристики Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная:да Латентность:- Объем одного модуля:16 Гб Кол-во...

ОЗУ Samsung M393A2K40EB3-CWECO 16GB DDR4 3200MHz 2Rx8 DIMM Registred ECC

Основные характеристики Тип Модуль памяти Серия M393 Модель M393A2K40EB3-CWECO Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля, ГБ 16 Количество модулей в комплекте, шт 1...

ОЗУ Samsung M393A2K43BB3-CWECQ DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Производитель Samsung Объём памяти 16 GB Серия модуля памяти PC4-25600 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288 pin Тип памяти DDR4 RDIMM Тактовая частота 3200 MHz Пропускная способность 25600 MB/s ECC Registered Есть Тайминги CAS Latency (CL) 22 Напряжение питания 1.2 В...

ОЗУ Samsung M393A2K43EB3-CWEBY DDR4 16GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg Dual Rank 1.2V

Производитель Samsung Модель M393A2K43EB3 Применение Для сервера Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти REG Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Количество модулей в комплекте 1 Объём модуля памяти (ГБ) 16ГБ Напряжение...

ОЗУ Samsung M393A2K43EB3-CWECO 16GB DDR4 3200MHz 2Rx8 DIMM Registred ECC

Характеристики Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная:да Латентность:- Объем одного модуля:16 Гб Кол-во модулей в...

ОЗУ SAMSUNG M393A2K43EB3-CWEGY 16GB PC25600 Reg

Базовые характеристики Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 16, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 16, ГБ Эффективная частота 3200, МГц Пропускная способность 25600, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Samsung M393A4G43AB3-CWEBY DDR4 32GB RDIMM 3200MHz 1.2V

Основные Форм-фактор DIMM DDR4 Частота 3200MHz Оперативная память Объем оперативной памяти, Гб 32 гб Электропитание Номинальное напряжение, В 1,20 В Комплектация Количество модулей в комплекте, шт 1 Дополнительно Дополнительная информация Регистровая память (RDIMM). Масса...

ОЗУ Samsung M393A4G43BB4-CWEGQ DDR4 32GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Модуль памяти Samsung 32GB DIMM DDR4 REG 3200MHz, M393A4G43BB4-CWEGQ Производитель Samsung Применение Для сервера Тип памяти DIMM DDR4 Спецификация памяти REG Частота модуля (МГц) 3200МГц Пропускная споособность модуля памяти(Мб/сек) 25600Мб/сек Объём модуля памяти (ГБ) 32ГБ...

ОЗУ Samsung M393A4K40DB3-CWECO DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V

Характеристики Назначение для сервера Пропускная способность 25600 Количество модулей памяти в комплекте 1 Тип модуля памяти DDR4 Объём 32Gb Проверка и коррекция ошибок Присутствует Объем одного модуля памяти 32Gb Напряжение питания, В 1.2...

ОЗУ Samsung M393A4K40DB3-CWEGY 32GB DDR4 3200MHz 2Rx4 DIMM Registred ECC

Тип ОЗУ Бренд Samsung Артикул 404011 Партномер M393A4K40DB3-CWEGY Технические параметры Форм-фактор DIMM Стандарт DDR DDR4 Объем 32 ГБ Частота 3200 МГц Подсветка Нет Вес в упаковке, кг 0.03936 Габариты упаковки (длина), см 33 Габариты упаковки (ширина), см 21.5 Габариты упаковки...

ОЗУ Samsung M393A8G40AB2-CWEC0 64GB DDR4 3200MHz 2Rx4 RDIMM Registred ECC

Серия продукции M393 Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля 64, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 64, ГБ Эффективная частота 3200, МГц Пропускная способность 25600, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Samsung M393A8G40BB4-CWEBY DDR4 64GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (Only for new Cascade Lake)

Общие характеристики Производитель Samsung Тип DDR4, DIMM, 288-контактная Объем 64 Гб Спецификации Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Функции поддержка ECC, буферизованная (Registered) Напряжение питания 1.2 В...

ОЗУ Samsung M393A8G40CB4-CWE

Основные характеристики Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля, ГБ 64 Количество модулей в комплекте, шт 1 Эффективная частота, МГц 3200 Пропускная способность, Мб/с 25600 Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле,...

ОЗУ Samsung M393A8G40MB2-CVFBQ DDR4 64GB RDIMM (PC4-23400) 2933MHz ECC Reg 1.2V (Only for new Cascade Lake)

Основные свойства Производитель Samsung Объём памяти 64 GB Серия модуля памяти PC4-23400 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288 pin Тип памяти DDR4 RDIMM Тактовая частота 2933 MHz Пропускная способность 23400 MB/s ECC Registered Есть Тайминги CAS Latency (CL) 21 RAS to...

ОЗУ Samsung M393AAG40M32-CAE DDR4 128GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V

Объем памяти комплекта 128 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти четырехранговая Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с CAS-латентность CL22 Схема таймингов памяти...

ОЗУ Samsung M393AAG40M32-CAECO DDR4 128GB 3200MHz 4Rx4 DIMM 3DS 2H Registered ECC

Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x128Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная (RDIMM):да Объем одного модуля:128 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт Общий объем...

ОЗУ Samsung M425R1GB4BB0-CQK DDR5 8GB SODIMM 4800MHz

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M425R1GB4BB0-CQK] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M425R1GB4BB0-CWM0L SO-DIMM DDR5 8ГБ PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40, OEM

Тип товара: Оперативная память Производитель: Samsung Модель: M425R1GB4BB0-CWM0L Цвет: Зеленый Объем памяти: 8 ГБ Частота памяти: 5600 МГц Стандарт памяти : DDR5 Дополнительно: PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40 Размеры: 6.96 x 0.3 x 3 см Вес: 10 г Размеры упаковки: 7 x 3 x...

ОЗУ Samsung M425R2GA3BB0-CQK DDR5 16GB 4800MHz OEM PC5-38400 CL40 SO-DIMM 288-pin 1.1В dual rank OEM

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung OEM Код производителя [M425R2GA3BB0-CQK] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CQK DDR5 32GB SO-DIMM 4800MHz OEM

Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M425R4GA3BB0-CQK Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR5 Объем одного модуля 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Тактовая частота 4800 МГц Количество контактов 262-pin Показатель скорости PC5-38400 Row Precharge Delay (tRP)...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CQK0L SO-DIMM DDR5 32ГБ PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40, OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M425R4GA3BB0-CQK0L Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с...

ОЗУ Samsung M425R4GA3BB0-CWM DDR5 32GB SODIMM 5600MHz 2Rx8, 1.1V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M425R4GA3BB0-CWM] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M471A1G44AB0-CWE DDR4 SO-DIMM 8Gb 3200MHz PC4-25600 CL19 OEM

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A1G44AB0-CWE] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие Частота 3200...

ОЗУ Samsung M471A1G44CB0-CWED0 8GB 3200MHz SODIMM DDR4 М378А2* OEM

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 240-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Подсветка:нет...

ОЗУ SAMSUNG M471A1K43DB1-CWEDY 8GB SO-DIMM DDR4 PC25600

Тип памяти DDR4 CAS Latency (CL) 22 Пропускная способность PC4-25600 Частота (МГц) 3200 Количество модулей в комплекте (шт.) 1 Объем одного модуля (Гбайт) 8 Общий объем (Гбайт) 8 Форм-фактор SO-DIMM Вес 0.0065 кг Объем в упаковке 4.2 л Количество в упаковке (кратность) 1...

ОЗУ Samsung M471A2G43CB2-CWE DDR4 16GB UNB SODIMM 3200 1Rx8, 1.2V

Основные свойства Производитель Samsung Объём памяти 16 GB Серия модуля памяти PC4-25600 Форм-фактор SO-DIMM Количество контактов 260 pin Тип памяти DDR4 UDIMM Тактовая частота 3200 MHz Пропускная способность 25600 MB/s Тайминги CAS Latency (CL) 22 Напряжение питания 1.2...

ОЗУ SAMSUNG M471A2K43EB1-CWE SODIMM 16GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A2K43EB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 16 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ SAMSUNG M471A4G43AB1-CWE SODIMM 32GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A4G43AB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 32 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWED0 32GB (1x32GB), DDR4-3200, SODIMM, 2Rx8

Общая информация Производитель Samsung PN M471A4G43AB1-CWED0 Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм фактор SODIMM Количество контактов 260 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Объем 1 модуль 32Gb Общий объём 32 Гб Поддержка ECC нет Поддержка XMP...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWEDY DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M471A4G43AB1-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Частота 3200 МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43BB1-CWE DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A4G43BB1-CWE] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRC DDR4 4GB UNB SODIMM 2400, 1.2V

Стандарт DDR4 Форм-фактор SODIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество контактов 260...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRCD0l DDR4 4GB (PC4-19200) 2400MHz 1.2V SO-DIMM

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2400 МГц Пропускная способность:19200 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 4GB UNB SODIMM 3200, 1.2V

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL22...

ОЗУ Samsung Original M378A1K43CB2-CTD 8GB DDR4-2666 PC4-21300 CL19, 1.2V

Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 8 ГБ Эффективная частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M378A2K43CB1-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL16 Тайминги:16-16-16 Подсветка:нет Объем одного...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M471A5244CB0-CTD) SO-DIMM 4GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17 Тайминги:17-17-17 Подсветка:нет Объем одного модуля:4...

ОЗУ Samsung, CL19, 1.2V (M378A2G43MX3-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 16384 Мб Показатель скорости PC4-21300 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2666МГц Напряжение 1.2В Задержка 19-19-19 Латентность CL19...