Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК :: Оперативная память

ОЗУ Samsung M321R8GA0BB0-CQK 96GB DDR5 4800MHz DIMM 2Rx4 Registred ECC

Основные Производитель Samsung Код производителя M321R8GA0BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 64 Гб Объём одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да...

ОЗУ Samsung M321R8GA0BB0-CQK DDR5 64GB RDIMM 4800MHz (2R x 4) ECC Reg 1.1V

Серия продукции M321 Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR5 Объем одного модуля 64, ГБ Количество модулей в комплекте 1, шт Суммарный объем 64, ГБ Эффективная частота 4800, МГц Пропускная способность 38400, Мб/с Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет...

ОЗУ Samsung M321R8GA0PB0-CWM DDR5 64GB 5600MHz OEM PC5-44800 CL40 DIMM ECC 288-pin 1.1В dual rank OEM

Характеристики: Модуль памяти Samsung 64 ГБ DIMM DDR5 5600 МГц, M321R8GA0PB0-CWM Производитель Samsung Тип памяти DDR5 Слот памяти DIMM Спецификация памяти REG Частота памяти 5600 МГц Пропускная способность модуля памяти(Мб/сек) 44800Мб/сек Количество...

ОЗУ Samsung M321RAGA0B20-CWK DDR5 128GB 4800MHz OEM PC5-38400 CL40 DIMM ECC 288-pin 1.1В dual rank OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M321RAGA0B20-CWK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 128 Гб Объём одного модуля 128 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC да Буферизованная...

ОЗУ Samsung M323R1GB4DB0-CWM DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V

Оперативная память Samsung DDR5 8Gb 5600Mhz pc-44800 CL40 1.1V (M323R1GB4DB0-CWM) Характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR5 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:5600 МГц Пропускная...

ОЗУ Samsung M323R1GB4PB0-CWM DDR5 DIMM 8GB 1Rx16 UNB 5600

Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M323R1GB4PB0-CWM Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR5 Объем одного модуля 8 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Количество контактов 288-pin Показатель скорости PC5-38400 Row Precharge Delay (tRP) 40 RAS to CAS Delay (tRCD) 40...

ОЗУ Samsung M323R1GB4PB0-CWM0D 8GB UDIMM DDR5-5600MHz

Основные Суммарный объем памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Емкость одного модуля 8 ГБ Тип памяти DDR5 Пропускная способность, Мб/с 38400 Тактовая частота, МГц 5600 Форм-фактор RAM UDIMM Конструкция Радиатор...

ОЗУ Samsung M323R2GA3DB0-CWM DDR5 DIMM 16GB UNB 5600 1Rx8, 1.1V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M323R2GA3DB0-CWM Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт...

ОЗУ Samsung M323R2GA3PB0-CWM DDR5 16GB DIMM 5600MHz

Основные характеристики Производитель Samsung Тип DDR5 Форм-фактор DIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 16 Гб Общий объем памяти 16 Гб Тактовая частота 5600 MHz Напряжение питания Напряжение питания...

ОЗУ Samsung M323R4GA3BB0-CQK DDR5 32Gb 4800MHz RTL PC5-38400 CL40 DIMM 288-pin 1.1В dual rank Ret

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M323R4GA3BB0-CQK Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Форм-фактор памяти DIMM Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1...

ОЗУ Samsung M323R4GA3BB0-CQKOD DDR5 DIMM 32GB UNB 4800 1Rx8, 1.1V

Конструкция Подсветка Нет Радиатор Нет Габариты и вес Цвет Зеленый Основное Поддержка ECC Нет Общий объём (ГБ) 32 Тип памяти DDR5 Тактовая частота (МГц) 4800 Пропускная способность (Мб/с) 38400 Тип модуля DIMM Тайминги CAS Latency (CL) 40 RAS...

ОЗУ Samsung M324R4GA3BB0-CQK DDR5 32GB ECC UDIMM 4800MHz (2Rx8) 1.1V, OEM

Основные Производитель Samsung Код производителя M324R4GA3BB0-CQK Тип памяти DDR5 DIMM Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с Поддержка ECC...

ОЗУ Samsung M378A1G44CB0-CWE DDR4 DIMM 8GB PC4-25600, 3200MHz

Samsung Electronics M378A1G44CB0-CWE - технические характеристики Форм-фактор UDIMM Объем одного модуля 8 Тип памяти DDR4 Общий объем 8 Количество модулей в комплекте 1 Частота 3200

ОЗУ Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB DDR4-2400 PC4-19200 Original, CL17, 1.2V

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти одноранговая Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/с CAS-латентность CL17 Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип...