Компьютеры, электроника :: Комплектующие к ПК :: Оперативная память

ОЗУ SAMSUNG M471A4G43AB1-CWE SODIMM 32GB PC25600 DDR4

Общие характеристики Брэнд SAMSUNG Модель M471A4G43AB1-CWE Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем модуля 32 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 3200МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWED0 32GB (1x32GB), DDR4-3200, SODIMM, 2Rx8

Общая информация Производитель Samsung PN M471A4G43AB1-CWED0 Общие характеристики Тип памяти DDR4 Форм фактор SODIMM Количество контактов 260 Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Объем 1 модуль 32Gb Общий объём 32 Гб Поддержка ECC нет Поддержка XMP...

ОЗУ Samsung M471A4G43AB1-CWEDY DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя M471A4G43AB1-CWE Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 Быстродействие Частота 3200 МГц...

ОЗУ Samsung M471A4G43BB1-CWE DDR4 32GB SO-DIMM 3200MHz 1.2V

Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A4G43BB1-CWE] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRC DDR4 4GB UNB SODIMM 2400, 1.2V

Стандарт DDR4 Форм-фактор SODIMM Объем одного модуля 4 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 4 ГБ Эффективная частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная (регистровая) Нет Низкопрофильная Нет Количество контактов 260...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CRCD0l DDR4 4GB (PC4-19200) 2400MHz 1.2V SO-DIMM

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2400 МГц Пропускная способность:19200 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17...

ОЗУ Samsung M471A5244CB0-CWE DDR4 4GB UNB SODIMM 3200, 1.2V

Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL22...

ОЗУ Samsung Original M378A1K43CB2-CTD 8GB DDR4-2666 PC4-21300 CL19, 1.2V

Основные характеристики Стандарт DDR4 Форм-фактор DIMM Объем одного модуля 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем 8 ГБ Эффективная частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с Поддержка ECC Нет Буферизованная...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M378A2K43CB1-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x16Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL16 Тайминги:16-16-16 Подсветка:нет Объем одного...

ОЗУ Samsung Original, CL19, 1.2V (M471A5244CB0-CTD) SO-DIMM 4GB DDR4-2666 PC4-21300

Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x4Gb Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:2666 МГц Пропускная способность:21300 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Латентность:CL17 Тайминги:17-17-17 Подсветка:нет Объем одного модуля:4...

ОЗУ Samsung, CL19, 1.2V (M378A2G43MX3-CTD) 16GB DDR4-2666 PC4-21300

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR4 Количество контактов 288-pin Объем 16384 Мб Показатель скорости PC4-21300 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 2666МГц Напряжение 1.2В Задержка 19-19-19 Латентность CL19...

ОЗУ Silicon Power (SP004GBSFU266X02) 4GB 2666МГц DDR4 CL19 SODIMM

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с CAS-латентность CL19 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный

ОЗУ Silicon Power (SP008GBLFU240B02), DDR 4 DIMM 8Gb PC19200, 2400Mhz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный...

ОЗУ Silicon Power (SP008GBSTU160N02) DDR3 SODIMM 8GB PC3-12800, 1600MHz

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с CAS-латентность CL11 Рабочее напряжение 1.5 В Тип охлаждения без охлаждения Профиль планки стандартный

ОЗУ Silicon Power (SP008GLSTU160N02) DDR3 SODIMM 8GB PC3-12800, 1600MHz 1.35V

Объем памяти комплекта 8 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти SO-DIMM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 МБ/с CAS-латентность CL11 Схема таймингов памяти 11-11-11 Рабочее напряжение 1.35 В Тип охлаждения без охлаждения...

ОЗУ Silicon Power 16GB 2666МГц DDR4 CL19 DIMM 2Gx8 SR SP016GBLFU266F02

Основные Производитель Silicon Power Код производителя SP016GBLFU266B02/SP016GBLFU266F02 Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR-4 Объём памяти 16 Гб Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 Мб/с...

ОЗУ Silicon Power 4GB (SP004GBLFU240N02) 2400МГц DDR4 CL17 DIMM 512Mx8 SR

Объем памяти комплекта 4 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Тактовая частота 2400 МГц Пропускная способность 19200 МБ/сек Схема таймингов памяти 17-17-17 Рабочее напряжение 1.2 В Тип охлаждения без охлаждения