Оперативная память

Сортировать по:
От А до Я
Основные характеристики Тип памяти Registred Форм-фактор DIMM Стандарт памяти DDR4 Объем одного модуля, ГБ 64 Количество модулей в комплекте, шт 1 Эффективная частота, МГц 3200 Пропускная способность, Мб/с 25600 Поддержка ECC Да Низкопрофильная Нет Количество чипов на модуле,...
Тип памяти DDR-4 DIMM Объём памяти 64 Гб Объём одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 2933 МГц Пропускная способность 23400 Мб/с Поддержка ECC да Буферизованная (Registered) да Тайминги CAS Latency (CL) 21 RAS to CAS Delay (tRCD) 21 Row Precharge...
Основные свойства Производитель Samsung Объём памяти 64 GB Серия модуля памяти PC4-23400 Форм-фактор DIMM Количество контактов 288 pin Тип памяти DDR4 RDIMM Тактовая частота 2933 MHz Пропускная способность 23400 MB/s ECC Registered Есть Тайминги CAS Latency (CL) 21 RAS to...
Объем памяти комплекта 128 ГБ Кол-во планок в комплекте 1 шт Форм-фактор памяти DIMM Тип памяти DDR4 Ранг памяти четырехранговая Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 МБ/с CAS-латентность CL22 Схема таймингов памяти...
Назначение:для сервера Тип поставки:один модуль 1x128Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:DIMM 288-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:да Буферизованная (RDIMM):да Объем одного модуля:128 Гб Кол-во модулей в упаковке:1 шт Общий объем...
Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M425R1GB4BB0-CQK] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...
Объем памяти: 8 ГБ Частота памяти: 4800 МГц Стандарт памяти : DDR5 Дополнительно: PC5-38400, 4800MHz 1.1V, CL40 Размеры: 6.96 x 0.3 x 3 см Вес: 10 г Размеры упаковки: 7 x 3 x 0.3 см Вес с упаковкой: 10 г Тип товара: Оперативная память Партнам:...
Тип товара: Оперативная память Производитель: Samsung Модель: M425R1GB4BB0-CWM0L Цвет: Зеленый Объем памяти: 8 ГБ Частота памяти: 5600 МГц Стандарт памяти : DDR5 Дополнительно: PC5-44800, 5600MHz 1.1V, CL40 Размеры: 6.96 x 0.3 x 3 см Вес: 10 г Размеры упаковки: 7 x 3 x...
Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung OEM Код производителя [M425R2GA3BB0-CQK] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 16 ГБ Объем одного модуля памяти 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...
Характеристики Samsung M425R2GA3BB0-CWM Основные характеристики Тип памяти DDR5 Форм-фактор памяти SODIMM Объем одного модуля 16 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Суммарный объем комплекта...
Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M425R4GA3BB0-CQK Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR5 Объем одного модуля 32 ГБ Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Тактовая частота 4800 МГц Количество контактов 262-pin Показатель скорости PC5-38400 Row Precharge Delay (tRP)...
Основные Производитель Samsung Код производителя M425R4GA3BB0-CQK0L Форм-фактор SO-DIMM Тип памяти DDR5 Объём памяти 32 Гб Объём одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 Мб/с...
Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M425R4GA3BB0-CWM] Цвет зеленый Объем и состав комплекта Тип памяти DDR5 Суммарный объем памяти всего комплекта 32 ГБ Объем одного модуля памяти 32 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие...
Партномер M425R4GA3BB0-CWM0L Бренд Samsung Форм-фактор SO-DIMM Стандарт DDR DDR5 Объем 32 Гб Частота 5600 Подсветка Нет
Характеристики Тип DDR2 Форм-фактор SODIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 2 ГБ Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность PC6400 CL 6 tRCD 6 tRP 6 Количество чипов каждого модуля 16 Напряжение питания...
Общие параметры Тип оперативная память Модель Samsung Код производителя [M471A1G44AB0-CWE] Объем и состав комплекта Тип памяти DDR4 Суммарный объем памяти всего комплекта 8 ГБ Объем одного модуля памяти 8 ГБ Количество модулей в комплекте 1 шт Быстродействие Частота 3200...
Основные характеристики Производитель Samsung Тип DDR4 Форм-фактор SODIMM Комплектность Память Количество модулей в комплекте 1 Объем одного модуля 8 Гб Общий объем памяти 8 Гб Тактовая частота 3200 MHz...
Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 240-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная способность:25600 Мб/с Поддержка ECC:нет Буферизованная:нет Подсветка:нет...
Оперативная память Samsung SO-DIMM DDR4 8Gb 3200MHz pc-25600 CL22, 1.2V (M471A1K43DB1-CWED0) Характеристики Назначение:для ноутбука Тип поставки:один модуль 1x8Гб Тип памяти:DDR4 Форм-фактор:SODIMM 260-контактный Тактовая частота:3200 МГц Пропускная...
Тип памяти DDR4 CAS Latency (CL) 22 Пропускная способность PC4-25600 Частота (МГц) 3200 Количество модулей в комплекте (шт.) 1 Объем одного модуля (Гбайт) 8 Общий объем (Гбайт) 8 Форм-фактор SO-DIMM Вес 0.0065 кг Объем в упаковке 4.2 л Количество в упаковке (кратность) 1...
Общие характеристики Бренд SAMSUNG Модель M471A2G43AB2-CWE Форм-фактор SO-DIMM Обозначение памяти SO-DIMM Тип памяти DDR4 Объем одного модуля 16 ГБ Количество контактов 260-pin Показатель скорости PC4-25600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Пропускная...
Характеристики Модуль памяти Samsung 16GB DDR4 (M471A2G43AB2-CWED0) Оперативная память Оперативная память 16 Гб Форм фактор So-DIMM Тип памяти DDR4 non-ECC Частота 3200 Напряжение 1.2 V Габариты Размеры в упаковке (Ш x Г x В), см 0.2 x 7 x 4 Вес в упаковке, кг...
Основные свойства Производитель Samsung Объём памяти 16 GB Серия модуля памяти PC4-25600 Форм-фактор SO-DIMM Количество контактов 260 pin Тип памяти DDR4 UDIMM Тактовая частота 3200 MHz Пропускная способность 25600 MB/s Тайминги CAS Latency (CL) 22 Напряжение питания 1.2...
Показать еще 24 товара